[发明专利]一种PUF图案的制作方法及其应用和防伪标签

权利要求书

1.一种PUF图案的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，对所述表面进行疏水处理；

S2、通过物理气相沉积在所述表面制备半导体纳米线阵列；

S3、获取所述半导体纳米线阵列的形貌图像数据，并进行数字化处理，形成对应的PUF编码信息，得到PUF图案。

2.根据权利要求1所述的PUF图案的制作方法，其特征在于，步骤S2中，所述半导体纳米线阵列包括至少两个子阵列。

3.根据权利要求2所述的PUF图案的制作方法，其特征在于，所述子阵列之间呈阵列排布。

4.根据权利要求2所述的PUF图案的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：通过物理气相沉积在所述表面制备半导体纳米线阵列基层，再在所述半导体纳米线阵列基层上通过光刻技术形成至少两个所述子阵列。

5.根据权利要求2所述的PUF图案的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：借助掩模板通过物理气相沉积在所述表面制备所述半导体纳米线阵列。

6.根据权利要求1所述的PUF图案的制作方法，其特征在于，步骤S3中，获取所述半导体纳米线阵列的形貌图像数据包括：获取所述半导体纳米线阵列的形貌图像，对所述半导体纳米线阵列的形貌图像进行像素点提取，并获取RGB值；所述数字化处理包括：采用全局搜索算法寻找目标数据化阈值，并采用二值粗粒化编码算法进行处理。

7.根据权利要求6所述的PUF图案的制作方法，其特征在于，所述目标数据化阈值两端的数值个数比例为0.4～0.6。

8.根据权利要求1所述的PUF图案的制作方法，其特征在于，步骤S1中，所述衬底为M面蓝宝石；通过对所述M面蓝宝石进行退火处理，以在其表面形成纳米级沟道阵列。

9.权利要求1至8中任一项所述PUF图案的制作方法在随机密钥生成和存储、设备身份验证、随机数生成或防伪领域中的应用。

10.一种防伪标签，其特征在于，包括防伪层，所述防伪层上具有权利要求1至8中任一项所述PUF图案的制作方法制得的图案。