[发明专利]一种像素级分立器件及其制作方法

权利要求书

1.一种像素级分立器件，其特征在于，所述像素级分立器件包括：

背板；

至少两个焊盘，包括N个阳极焊盘及一个阴极焊盘，部分所述阳极焊盘及部分所述阴极焊盘分别嵌设于所述背板中，N≥1；

器件主体，所述器件主体包括第一器件层及第二器件层；所述第一器件层设于所述背板嵌设有所述至少两个焊盘的一侧，且所述第一器件层与相应的阳极焊盘连接；所述第二器件层设于所述第一器件层远离所述背板的一侧表面，所述第二器件层与相应的阳极焊盘连接；

共阴极，所述共阴极分别与所述第一器件层、第二器件层及所述阴极焊盘连接；

所述第一器件层包括第一键合层、第一化合物发光层、第一绝缘包裹层及第一电气连接结构；所述第一键合层贴设于所述背板上；所述第一化合物发光层贴设于所述第一键合层远离所述背板的一侧表面；所述第一绝缘包裹层包裹所述第一键合层及所述第一化合物发光层；所述第一电气连接结构设于所述第一化合物发光层的侧向；

所述第一键合层采用绝缘材料制成；

所述第一化合物发光层包括朝向所述第一键合层所在一侧设置的第一P型欧姆接触层、与所述第一P型欧姆接触层贴合设置的第一化合物半导体层，所述第一P型欧姆接触层的面积大于所述第一化合物半导体层的面积；

所述第一电气连接结构依次穿过所述第一P型欧姆接触层及所述第一键合层并与相应的阳极焊盘连接。

2.如权利要求1所述的像素级分立器件，其特征在于，所述器件主体与所述背板分离设置，且所述至少两个焊盘与所述背板分离设置；

所述像素级分立器件还包括自支撑结构，所述自支撑结构包覆所述器件主体及部分所述背板。

3.如权利要求2所述的像素级分立器件，其特征在于，所述自支撑结构包括依次连接的包覆部及固定部，所述包覆部包覆所述器件主体，所述固定部覆设于所述基板上。

4.如权利要求2所述的像素级分立器件，其特征在于，所述自支撑结构包括依次连接的包覆部、第二连接部及固定部，所述包覆部包覆所述器件主体，所述固定部覆设于所述基板上，所述第二连接部与所述基板分离设置。

5.如权利要求1所述的像素级分立器件，其特征在于，所述第二器件层包括第二键合层、第二化合物发光层、第二绝缘包裹层及第二电气连接结构；

所述第二键合层贴设于所述第一绝缘包裹层上；

所述第二化合物发光层贴设于所述第二键合层远离所述第一器件层的一侧表面；

所述第二绝缘包裹层包裹所述第二键合层及所述第二化合物发光层；

所述第二电气连接结构设于所述第一化合物发光层及所述第二化合物发光层的侧向。

6.如权利要求5所述的像素级分立器件，其特征在于，所述第二键合层采用绝缘材料制成；

所述第二化合物发光层包括朝向所述第二键合层所在一侧设置的第二P型欧姆接触层、与所述第二P型欧姆接触层贴合设置的第二化合物半导体层，所述第二P型欧姆接触层的面积大于所述第二化合物半导体层的面积；

所述第二电气连接结构依次穿过所述第二P型欧姆接触层、所述第二键合层、所述第一绝缘包裹层、所述第一P型欧姆接触层及所述第一键合层并与相应的阳极焊盘连接。

7.如权利要求5所述的像素级分立器件，其特征在于，所述共阴极穿设于所述第一绝缘包裹层及所述第二绝缘包裹层中，所述共阴极包括第一共阴极部分、与所述第一共阴极部分连接的第二共阴极部分，所述第一共阴极部分与所述阴极焊盘连接；

所述第一共阴极部分设于所述第一化合物半导体层一侧且与所述第一化合物半导体层连接；所述第二共阴极部分设于所述第二化合物半导体层一侧且与所述第二化合物半导体层连接。

8.如权利要求6所述的像素级分立器件，其特征在于，所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层的材质相同或不同。