[发明专利]相变存储器以及相变存储器的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

第一电极；

加热器，围设在所述第一电极的侧面且与所述第一电极的侧面接触，所述加热器的远离所述第一电极的侧面为第一表面，所述第一表面上具有多个凹槽；

相变材料层，围设在所述第一表面且与所述第一表面接触，所述相变材料层的靠近所述加热器的侧面上具有多个凸出部，所述凸出部一一对应地位于所述凹槽中；

第二电极，围设在所述相变材料层的第二表面且与所述第二表面接触，所述第二表面为所述相变材料层的远离所述加热器的侧面。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括：

多个绝热部，多个所述绝热部分别位于所述加热器以及所述相变材料层之间，且分别位于相邻的两个所述凸出部之间，所述绝热部覆盖相邻的两个所述凸出部的部分侧壁。

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述加热器包括金属加热元件、塑料加热元件或者复合加热元件，所述绝热部的材料包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所有的所述凸出部的宽度之和为第一数值，所述相变材料层的第三表面的周长为第二数值，所述第一数值与所述第二数值的比值范围为25％～85％，所述宽度为所述凸出部在预定方向上的宽度，所述预定方向垂直于所述凹槽的凹陷方向，所述第三表面垂直于所述相变材料层的靠近所述加热器的表面。

5.根据权利要求4所述的相变存储器，其特征在于，所述凹槽的高度为所述加热器的高度，所述凸出部的高度为所述相变材料层的高度，其中，所述高度所在的方向与所述预定方向以及所述凹槽的凹陷方向分别垂直。

6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括：

金属插塞，位于所述第一电极的一侧；

位线，分别与所述金属插塞以及所述第一电极电连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的相变存储器，其特征在于，所述第一电极的形状为圆柱体，所述加热器的形状为外表面具有多个所述凹槽的圆环柱，所述相变材料层的形状为内表面具有多个所述凸出部的圆环柱，所述第二电极为形状为圆环柱。

8.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成预备电极；

在所述预备电极中形成贯穿所述预备电极的第一通孔，剩余的所述预备电极形成第二电极；

在所述第一通孔的侧壁上形成相变材料层，所述相变材料层的远离所述第二电极的表面上具有多个凸出部；

在所述相变材料层的远离所述第二电极的侧面上形成加热器，剩余的所述第一通孔形成第二通孔；

在所述第二通孔中填充金属材料，形成第一电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一通孔的侧壁上形成相变材料层之后，在所述相变材料层的远离所述第二电极的侧面上形成加热器之前，所述方法还包括：

在所述相变材料层的远离所述第二电极的侧面上形成多个绝热部，各所述绝热部分别位于相邻的两个所述凸出部之间，且所述绝热部覆盖相邻的两个所述凸出部的部分侧壁。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述第一通孔的侧壁上形成相变材料层，包括：

在所述第一通孔中填充相变材料，形成预备相变材料层；

在所述预备相变材料层的裸露表面上形成图形化掩膜层；

以所述图形化掩膜层为掩膜刻蚀所述预备相变材料层，以贯穿所述预备相变材料层，得到具有多个所述凸出部的所述相变材料层；

去除所述图形化掩膜层。