[发明专利]半导体量子比特版图的布图构建方法、系统、介质及设备

说明书

本发明公开了一种半导体量子比特版图的布图构建方法、系统、介质及设备。布图构建方法包括：获取半导体量子比特的电极结构层和位于电极结构层外围的多个离子注入层，电极结构层中具有多个第一电极和多个第二电极，第一电极和所述离子注入层的数量相等；在电极结构层和多个离子注入层之间确定第一限位框，以及在多个离子注入层外围确定第二限位框；在第一限位框上生成多个对应每一第一电极的第一导电盘以及多个对应每一第二电极的第二导电盘；在第二限位框上生成多个对应每一第一导电盘的第一焊盘以及多个对应每一第二导电盘的第二焊盘。通过上述方式，本发明能够自动绘制导电盘和焊盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。

技术领域

本发明涉及电路设计领域，特别是涉及一种半导体量子比特版图的布图构建方法、系统、介质及设备。

背景技术

半导体量子比特是半导体量子芯片的关键单元，由于半导体量子比特上的电极尺寸非常小，在工艺上难以实现焊接，需要通过传输线将电极引出至较大尺寸的焊盘。传输线通常为折线，但是由于传输线非常细，在工艺制备中折点处容易出现断连的情况，因此需要在折点处制作导电盘来提高传输线折点处的导电可靠性。

然而，半导体量子比特上的电极非常多，每一个电极都连接一根传输线，在半导体量子比特版图设计中，需要人工逐个添加导电盘和焊盘，因此版图绘制工作量非常大，版图绘制效率非常低，而且绘制过程无法保证精准度，容易出错。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体量子比特版图的布图构建方法、系统、介质及设备，以解决现有技术中人工绘制效率低、容易出错的问题，能够自动绘制导电盘和焊盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体量子比特版图的布图构建方法，包括：

获取半导体量子比特的电极结构层和位于所述电极结构层外围的多个离子注入层，所述电极结构层中具有多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极和所述离子注入层的数量相等；

在所述电极结构层和所述多个离子注入层之间确定第一限位框，以及在所述多个离子注入层外围确定第二限位框；

在所述第一限位框上生成多个对应每一所述第一电极的第一导电盘以及多个对应每一所述第二电极的第二导电盘；

在所述第二限位框上生成多个对应每一所述第一导电盘的第一焊盘以及多个对应每一所述第二导电盘的第二焊盘。

优选的，还包括：

在每一所述第一电极与对应的第一导电盘之间，以及在每一所述第二电极与对应的第二导电盘之间生成第一传输线；

在每一所述第一导电盘与对应的第一焊盘之间分别生成跨越所述多个离子注入层的第二传输线，以及在每一所述第二导电盘与对应的第二焊盘之间生成不跨越任一所述离子注入层的第三传输线。

优选的，所述第一限位框和所述第二限位框均为矩形框。

优选的，所述在所述第一限位框上生成多个对应每一所述第一电极的第一导电盘以及多个对应每一所述第二电极的第二导电盘的步骤包括：

根据每一所述离子注入层距离所述第一限位框最近的边缘在所述第一限位框上确定多个对应每一所述第一电极的第一插入点；

在所述第一限位框上除所述第一插入点的其他位置确定多个对应每一所述第二电极的第二插入点；

在每一所述第一插入点生成对应每一所述第一电极的第一导电盘，以及在每一所述第二插入点生成多个对应每一所述第二电极的第二导电盘。

优选的，所述根据每一所述离子注入层距离所述第一限位框最近的边缘在所述第一限位框上确定多个对应每一所述第一电极的第一插入点的步骤包括：

在每一所述离子注入层距离所述第一限位框最近的边缘上选择中点作为第一基准点；