[发明专利]半导体量子比特版图的布图构建方法、系统、介质及设备

权利要求书

1.一种半导体量子比特版图的布图构建方法，其特征在于，包括：

获取半导体量子比特的电极结构层和位于所述电极结构层外围的多个离子注入层，所述电极结构层中具有多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极和所述离子注入层的数量相等；

在所述电极结构层和所述多个离子注入层之间确定第一限位框，以及在所述多个离子注入层外围确定第二限位框；

在所述第一限位框上生成多个对应每一所述第一电极的第一导电盘以及多个对应每一所述第二电极的第二导电盘；

在所述第二限位框上生成多个对应每一所述第一导电盘的第一焊盘以及多个对应每一所述第二导电盘的第二焊盘。

2.根据权利要求1所述的布图构建方法，其特征在于，还包括：

在每一所述第一电极与对应的第一导电盘之间，以及在每一所述第二电极与对应的第二导电盘之间生成第一传输线；

在每一所述第一导电盘与对应的第一焊盘之间分别生成跨越所述多个离子注入层的第二传输线，以及在每一所述第二导电盘与对应的第二焊盘之间生成不跨越任一所述离子注入层的第三传输线。

3.根据权利要求2所述的布图构建方法，其特征在于，所述第一限位框和所述第二限位框均为矩形框。

4.根据权利要求3所述的布图构建方法，其特征在于，所述在所述第一限位框上生成多个对应每一所述第一电极的第一导电盘以及多个对应每一所述第二电极的第二导电盘的步骤包括：

根据每一所述离子注入层距离所述第一限位框最近的边缘在所述第一限位框上确定多个对应每一所述第一电极的第一插入点；

在所述第一限位框上除所述第一插入点的其他位置确定多个对应每一所述第二电极的第二插入点；

在每一所述第一插入点生成对应每一所述第一电极的第一导电盘，以及在每一所述第二插入点生成多个对应每一所述第二电极的第二导电盘。

5.根据权利要求4所述的布图构建方法，其特征在于，所述根据每一所述离子注入层距离所述第一限位框最近的边缘在所述第一限位框上确定多个对应每一所述第一电极的第一插入点的步骤包括：

在每一所述离子注入层距离所述第一限位框最近的边缘上选择中点作为第一基准点；

查找每一所述第一基准点到所述第一限位框的垂线与所述第一限位框的第一个交点，将查找到的每一交点作为多个对应每一所述第一电极的第一插入点。

6.根据权利要求5所述的布图构建方法，其特征在于，所述第二电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极位于相邻两个所述第一电极之间，所述第二子电极不位于任意相邻两个所述第一电极之间；

所述在所述第一限位框上除所述第一插入点的其他位置确定多个对应每一所述第二电极的第二插入点的步骤包括：

确定每一所述第一插入点距离最近的所述第一电极；

根据当前相邻两个所述第一电极之间的第一子电极的数量在当前相邻两个所述第一电极对应的第一插入点之间的限位框段上确定相同数量的第二插入点；

在所述第一子电极对应的第二插入点数量最少的限位框段上确定所述第二子电极对应的第二插入点。

7.根据权利要求6所述的布图构建方法，其特征在于，每一所述限位框段上所述第一子电极对应的第二插入点到所述电极结构层的中心点的连线将每一所述限位框段上的第一插入点与所述电极结构层的中心点构成的夹角进行角度平均分割。

8.根据权利要求6所述的布图构建方法，其特征在于，每一所述限位框段上所述第二子电极对应的第二插入点到所述电极结构层的中心点的连线将每一所述限位框段上的第一插入点与所述电极结构层的中心点构成的夹角进行角度平均分割。

9.根据权利要求6所述的布图构建方法，其特征在于，每一所述限位框段上所述第二子电极对应的第二插入点到所述电极结构层的中心点的连线与每一所述限位框段垂直。