[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法；属于太阳能电池技术领域，包括在电池基底上形成栅线电极，所述电池基底包括异质结基底和在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；所述栅线电极包括：在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；在种子层上进行第一次喷墨打印形成具有栅线图案的第一掩膜层，所述栅线图案为与种子层垂直、暴露出种子层的凹槽；在第一掩膜层上，栅线图案凹槽的两侧打印第二掩膜层；在栅线图案中电镀导电栅线。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

栅线电极是金属栅线从发射极收集电流的组件，为了能增加电池的受光面积，电极栅线的宽度越小越好，但是，电极栅线越细，同等高度下，其表面积S越小，电极损失越高。

现有的栅线制作方法为，在透明氧化导电层上制作种子层，在种子层上打印具有栅线图案的掩膜，随后在栅线图案中的种子层上制作导电栅线，去除掩膜，这种工艺，由于掩膜打印时为熔融状态，掩膜贴附种子层固化时，掩膜层形成的栅线图案凹槽侧壁具有弧形凸面，在电镀时，若电镀电极继续在栅线图案中形成，造成的结果是电镀电极的远离种子层的一端宽度大于靠近种子层的宽度，电镀电极层与种子层形成类T型结构(如图3、图4)，减少了太阳能电池表面的受光面积，也导致后续掩膜层不易剥离。

发明内容

针对上述存在的技术不足，为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：本发明提供一种太阳能电池的制作方法，包括在电池基底上形成栅线电极，所述电池基底包括异质结基底和在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；所述栅线电极包括：在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；在种子层上进行第一次喷墨打印形成具有栅线图案的第一掩膜层，所述栅线图案为与种子层垂直、暴露出种子层的凹槽；在第一掩膜层上，栅线图案凹槽的两侧打印第二掩膜层；在栅线图案中电镀导电栅线。

优选地，所述异质结基底包括在掺杂硅基异质结基底相对的两侧面上分别形成的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成第一掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成的第二掺杂非晶硅层。

为了进一步提高栅线的质量，减少栅线边缘的不平整，增加太阳能电池的受光面积，优选地，在打印电镀导电栅线之前，将第一掩膜层和第二掩膜层加热至玻璃态转变温度以上，使用具有栅线图案的模具，对第一掩膜层和第二掩膜层进行压印。

优选地，所述第一掩膜层厚度为10-15μm，第二掩膜层厚度为5-10μm。

优选地，所述第一掩膜层和第二掩膜层材料均为热可塑形材料。

优选地，第一掩膜层和第二掩膜层材料均为石蜡。

优选地，为了减少反射，所述掺杂硅基异质结基底靠近第一本征非晶硅层的侧面具有蜂窝状的绒面结构。

优选地，还包括在导电栅线上继续电镀制作锡叠层作为导电栅线的助焊层。

本发明的另一目的是提供一种太阳能电池，该太阳能电池通过以下方法制作：

在掺杂硅基异质结基底相对的两侧面上分别形成的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成第一掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成的第二掺杂非晶硅层，形成异质结基底，掺杂硅基异质结基底靠近第一本征非晶硅层的侧面具有蜂窝状的绒面结构；

在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；透明导电氧化层材料为氧化铟、氧化锌、氧化锌镓中的一种或多种；

在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；所述种子层材料为：铜、镍、银、铝、钛、钯中的一种或多种，优选为银种子层；