[发明专利]一种P型单晶太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种P型单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，它包括以下内容：

步骤一、选取P型单晶硅片，作为硅衬底；

步骤二、双面制绒；

采用湿法化学腐蚀方法在P型单晶硅片的表面制备金字塔绒面结构，获得双绒面p型单晶硅衬底；

步骤三、热处理；

使用高温管式或链式热处理设备对上述双绒面P型单晶硅片进行磷掺杂，在表面形成N+层和磷硅玻璃层；

步骤四、去除磷硅玻璃层和N+层；

采用槽式湿法化学腐蚀方式，去除P型单晶硅片表面的磷硅玻璃层和n+层；

步骤五、沉积本征非晶硅膜；

通过等离子体化学气相沉积法在上述P型单晶硅基片的前表面和背表面分别沉积本征非晶硅膜；

步骤六、沉积非晶硅/微晶硅膜；

在P型单晶硅基片一侧的本征非晶硅表面沉积不少于两层N型非晶硅/微晶硅膜, 另一侧的本征非晶硅表面沉积不少于两层P型非晶硅/微晶硅膜；

步骤七、沉积透明导电薄膜；

步骤八、电极印刷。

2.根据权利要求1所述的一种P型单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于：所用P型单晶硅片的电阻率为0.3-7Ω.cm。

3.根据权利要求1所述的一种P型单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于：所用P型单晶硅片的厚度为80-130微米。

4.根据权利要求1所述的一种P型单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤三中的工艺温度在600~850℃区间内。

5.根据权利要求1所述的一种P型单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤七中通过磁控溅射或蒸发镀膜法在N型非晶硅/微晶硅膜和P型非晶硅/微晶硅膜的外表面分别沉积透明导电薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种P型单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤八中采用丝网印刷或电镀工艺在P型单晶硅基片的前表面、背表面分别制备金属电极。