[发明专利]一种P型单晶太阳能电池的制备方法

说明书

本发明涉及的一种P型单晶太阳能电池的制备方法，步骤一、选取P型单晶硅片，作为硅衬底；步骤二、获得双绒面p型单晶硅衬底；步骤三、热处理；使用高温管式或链式热处理设备对上述双绒面P型单晶硅片进行磷掺杂，在表面形成N+层和磷硅玻璃层；步骤四、去除磷硅玻璃层和N+层；步骤五、沉积本征非晶硅膜；步骤六、沉积非晶硅/微晶硅膜；步骤七、沉积透明导电薄膜；步骤八、电极印刷。本发明降低硅片成本，降低杂质对单晶硅片的影响，从而提升异质结太阳电池光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种P型单晶太阳能电池的制备方法。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视，硅基异质结太阳电池基于较高的光电转换效率，被光伏行业公认为下一代可规模化量产的光伏电池技术。常规硅基异质结太阳电池结构包括n型单晶硅基片、非晶硅膜层、透明导电薄膜、金属电极等，常规制备步骤包括：绒面制备并清洗、非晶硅沉积、透明导电膜沉积及电镀或丝网印刷制备金属电极，现有技术中，如中国专利CN107004732A、CN113488550A等，都是以n型硅片为衬底；但是N型单晶硅衬底成本较高，以及需要进行B扩散与P扩散，硅片经过两次高温扩散后，会使其内部的缺陷、位错等不良因素释放并扩大，最终影响电池效率。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种P型单晶太阳能电池的制备方法，在p型单晶硅衬底上制备非晶/微晶硅钝化层和TCO薄膜，制备高效异质结太阳电池。

本发明的目的是这样实现的：

一种P型单晶太阳能电池的制备方法，它包括以下内容：

步骤一、选取P型单晶硅片，作为硅衬底；

步骤二、双面制绒；

采用湿法化学腐蚀方法在P型单晶硅片的表面制备金字塔绒面结构，获得双绒面p型单晶硅衬底；

步骤三、热处理；

使用高温管式或链式热处理设备对上述双绒面P型单晶硅片进行磷掺杂，在表面形成N+层和磷硅玻璃层；

步骤四、去除磷硅玻璃层和N+层；

采用槽式湿法化学腐蚀方式，去除P型单晶硅片表面的磷硅玻璃层和n+层；

步骤五、沉积本征非晶硅膜；

通过等离子体化学气相沉积法在上述P型单晶硅基片的前表面和背表面分别沉积本征非晶硅膜；

步骤六、沉积非晶硅/微晶硅膜；

在P型单晶硅基片一侧的本征非晶硅表面沉积不少于两层N型非晶硅/微晶硅膜,另一侧的本征非晶硅表面沉积不少于两层P型非晶硅/微晶硅膜；

步骤七、沉积透明导电薄膜；

步骤八、电极印刷。

进一步地，所用P型单晶硅片的电阻率为0.3-7Ω.cm。

进一步地，所用P型单晶硅片的厚度为80-130微米。

进一步地，步骤三中的工艺温度在600~850℃区间内。

进一步地，步骤七中通过磁控溅射或蒸发镀膜法在N型非晶硅/微晶硅膜和P型非晶硅/微晶硅膜的外表面分别沉积透明导电薄膜。

进一步地，步骤八中采用丝网印刷或电镀工艺在P型单晶硅基片的前表面、背表面分别制备金属电极。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明采用P型单晶硅片制作异质结太阳电池，降低硅片成本；同时高温热处理工艺能对制绒后的P型单晶硅片起到很好吸杂作用，降低杂质对单晶硅片的影响，从而提升异质结太阳电池光电转换效率。

附图说明

图1为本发明的P型单晶太阳电池的结构示意图。

其中：