[发明专利]一种N型TOPCon太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种N型TOPCon太阳能电池，其特征在于，所述N型TOPCon太阳能电池包括：

N型硅片衬底；

发射结，形成于所述N型硅片衬底中，且位于所述N型硅片衬底的受光面一侧；

第一氧化硅层、钝化层和减反射层，依序层叠于所述发射结上；

第二氧化硅层和磷掺杂多晶硅层，依序层叠于所述N型硅片衬底的背光面上；

SiO₂/Ag镜面结构，设置于所述磷掺杂多晶硅层上；

金属电极，贯穿所述减反射层、所述钝化层和所述第一氧化硅层而与所述发射结接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述SiO₂/Ag镜面结构包括层叠于所述磷掺杂多晶硅层上的SiO₂薄膜层以及层叠于所述SiO₂薄膜层上的Ag金属薄膜层。

3.一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

对N型硅片衬底的受光面进行硼扩散处理，以形成发射结；

在所述发射结上形成第一氧化硅层；

在所述N型硅片衬底的背光面上依序形成层叠的第二氧化硅层和磷掺杂多晶硅层；

在所述第一氧化硅层上依序形成层叠的钝化层和减反射层；

在所述磷掺杂多晶硅层上形成SiO₂/Ag镜面结构；

在所述减反射层上形成贯穿所述减反射层、所述钝化层和所述第一氧化硅层而与所述发射结接触的金属电极，以获得所述N型TOPCon太阳能电池。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述磷掺杂多晶硅层上形成SiO₂/Ag镜面结构的方法包括：

利用湿氧氧化法、干氧氧化法或等离子增强化学气相沉积法在所述磷掺杂多晶硅层上形成SiO₂薄膜层；

利用磁控溅射法在所述SiO₂薄膜层上形成Ag金属薄膜层。

5.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述利用磁控溅射法在所述SiO₂薄膜层上形成Ag金属薄膜层的方法包括：

选择99.99％的银板作为磁控溅射的靶材，将其放入反应腔室；

关闭反应腔室，抽真空至4×10^-4Pa，以高纯氩气为工作气体并调节气压为0.8Pa；

在所述工作气体气氛下，在所述SiO₂薄膜层上进行溅射沉积，以形成所述Ag金属薄膜层；

其中，所述溅射沉积的功率为3w～60w；和/或所述溅射沉积的时间为10s～1000s；和/或所述SiO₂薄膜层的厚度为5nm～20nm；和/或所述Ag金属薄膜层的厚度为10nm～200nm。

6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述对N型硅片衬底的受光面进行硼扩散处理的方法包括：

在第一预定温度下，同时通入氧气和携带硼源的氮气，以进行硼沉积；

升温至第二预定温度，以将硼原子推进到所述N型硅片衬底中以形成所述发射结。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一预定温度为850℃～900℃；和/或所述硼源包括三氯化硼或三溴化硼；和/或通入所述氧气和所述携带硼源的氮气的时间为600s～3600s；和/或所述氧气的流量为100sccm～1000sccm；和/或所述氮气的流量为100sccm～1000sccm；和/或所述第二预定温度为900℃～1000℃；和/或所述推进的时间为600s～3600s；和/或所述发射结中硼的掺杂结深为0.3μm～1.0μm；和/或所述发射结的方阻为50ohm/sq～200ohm/sq；和/或所述发射结中硼的掺杂浓度为1×10¹⁹atoms/cm³～1×10²¹atoms/cm³。