[发明专利]一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液及制备方法在审
申请号: | 202210408832.1 | 申请日: | 2022-04-19 |
公开(公告)号: | CN115011346A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 张海超 | 申请(专利权)人: | 上海涤宝科技有限公司 |
主分类号: | C09K13/02 | 分类号: | C09K13/02;H01L21/67 |
代理公司: | 济南凳凳知识产权代理有限公司 37386 | 代理人: | 梁桃桃 |
地址: | 200030 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 半导体 封装 处理 毛刺 溶液 制备 方法 | ||
1.一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液,包括氢氧化钠8-14%、葡萄糖酸钠2-8%、碱度稳定剂3-5%、抗静电剂0-2%和表面活性剂2-5%,其余百分比为去离子水,其特征在于,所述碱度稳定剂包括偏硅酸钠和柠檬酸盐,抗静电剂包括铵盐和磷酸衍生物,表面活性剂包括十二烷基硫酸、十二烷基苯磺酸钠、甘油单酸硬脂酸酯和脂肪酸聚氧乙烯酸酯中的一种或一种以上的混合物。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液,其特征在于,所述碱度稳定剂中,偏硅酸钠占比为20-35%,铵盐占比为25-45%,其余百分比为柠檬酸盐。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液,其特征在于,所述铵盐包括单季铵盐、双季铵盐和三季铵盐中的一种或一种以上的混合物,去离子水的电阻率在600K-800KΩ·cm之间。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液,其特征在于,所述磷酸衍生物包括三氢焦磷酸盐、二硬脂酰磷脂酸和二苯基磷酸乙酯中的一种或一种以上的混合物。
5.一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:按照对应的百分比称取对应重量的氢氧化钠、葡萄糖酸钠、碱度稳定剂、抗静电剂、表面活性剂和去离子水,随后向反应釜中倒入适量去离子水,随后边搅拌边加入氢氧化钠,然后边搅拌边加入葡萄糖酸钠;
S2:葡萄糖酸钠加完后结束搅拌,随后将反应釜中溶液的温度降低至60-40OC;
S3:将表面活性剂放入另一个反应釜中,随后加入去离子水并搅拌,制成活性剂溶液并倒入溶解有氢氧化钠和葡萄糖酸钠的溶液中;
S4:将碱度稳定剂边搅拌边加入制成的溶液中,搅拌均匀后再边搅拌边加入抗静电剂和剩余的去离子水,搅拌均匀后制成去毛刺溶液。
6.根据权利要求5所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法,其特征在于,所述S1中,将混合有氢氧化钠和葡萄糖酸钠的溶液在常温通风环境下持续搅拌15-20min后再进行降温。
7.根据权利要求5所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法,其特征在于,所述S3中,将混合有表面活性剂的溶液在反应釜中搅拌10-15min后,再倒入冷却后的溶解有氢氧化钠和葡萄糖酸钠的溶液中。
8.根据权利要求5所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法,其特征在于,所述S4中,将先后加入碱度稳定剂和抗静电剂的溶液继续搅拌20-30min后密封包装入桶。
9.根据权利要求8所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法,其特征在于,所述S4中,将去毛刺溶液加热到90-110OC条件下,再将需去毛刺的电子元件浸入溶液中进行去毛刺处理。
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