[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

在第一载体上形成第一重布线层；

在所述第一载体上形成至少一个层间穿孔，其中所述至少一个层间穿孔电连接到所述第一重布线层；

将所述至少一个层间穿孔包封在模制化合物中；

在所述第一载体上设置至少一个管芯，其中所述至少一个管芯电连接到所述第一重布线层；

形成天线元件，其中所述天线元件至少局部地接触所述模制化合物且电连接到所述第一重布线层，且在所述第一重布线层上的垂直投影中，所述天线元件与所述至少一个管芯重叠；以及

将多个导电元件设置在所述第一重布线层上，其中所述第一重布线层位于所述模制化合物与所述多个导电元件之间。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述天线元件是在所述第一载体上形成所述第一重布线层、所述至少一个层间穿孔及所述至少一个管芯之前形成在所述第一载体上。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述天线元件上形成所述至少一个层间穿孔之后，将所述天线元件及所述至少一个层间穿孔包封在所述模制化合物中，且接着在所述至少一个层间穿孔上形成所述第一重布线层，其中所述至少一个管芯及所述多个导电元件设置在与所述模制化合物相对的所述第一重布线层的表面上且不被模制在所述模制化合物中。

4.一种封装结构，其特征在于，包括：

模制化合物，具有相对的第一表面与第二表面；

至少一个层间穿孔，包封在所述模制化合物中并贯穿所述模制化合物；

天线元件，至少部分地模制在所述模制化合物中且邻近所述模制化合物的所述第一表面，并电连接至所述至少一个层间穿孔；以及

半导体管芯，位于所述模制化合物的所述第二表面上，并经由所述至少一个层间穿孔电连接至所述天线元件。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，进一步包括位于所述半导体管芯与所述模制化合物之间的重布线层，其中所述重布线层连接至所述半导体管芯并经由所述至少一个层间穿孔电连接至所述天线元件。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个层间穿孔连接至所述天线元件并经由所述重布线层电耦合至所述半导体管芯。

7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，进一步包括电连接到所述半导体管芯的多个导电元件，其中所述半导体管芯与所述多个导电元件位于所述重布线层的表面上。

8.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成第一重布线层；

在所述第一重布线层上形成多个层间穿孔，其中所述多个层间穿孔电连接到所述第一重布线层；

将所述多个层间穿孔包封在模制化合物中；

在所述第一重布线层上设置半导体管芯，其中所述半导体管芯电连接到所述第一重布线层；以及

形成天线元件，具有第一表面、第二表面与连接所述第一表面与所述第二表面的侧壁，其中所述天线元件的所述第一表面与所述侧壁是至少局部地接触所述模制化合物，所述第二表面不接触所述模制化合物，且所述天线元件经由所述第一重布线层及所述多个层间穿孔电连接至所述半导体管芯。