[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

说明书

本发明公开一种光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器技术领域，以解决现有的半导体光电探测器应用范围较窄的问题。所述光电探测器包括：衬底。形成在衬底的上方的光电感应层。形成在光电感应层上的第一电极。以及形成在光电感应层背离衬底的表面的第二电极，第二电极的至少部分部位透光。所述光电探测器的制备方法包括上述技术方案所提的光电探测器。本发明提供的光电探测器的制备方法用于制备光电探测器。

技术领域

本发明涉及半导体光电探测器技术领域，尤其涉及一种光电探测器及其制备方法。

背景技术

在现有技术中，二氧化钛被广泛应用于光电探测器领域中。但是由于二氧化钛的带隙较宽，只能吸收太阳光谱中的紫外区域，因此，可以通过调整二氧化钛的带隙宽度实现调节二氧化钛的光吸收能力。

目前，主要通过对二氧化钛进行元素、离子掺杂，氢处理，从而降低二氧化钛的带隙。但是流程工艺复杂，伴随较大的能源消耗和污染，成本较高，且制备得到的光电探测器的稳定性较差，质量较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光电探测器及其制备方法，用于制备出一种可用于紫外-可见-红外的宽光谱光电探测器。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种光电探测器，包括：

衬底。

形成在所述衬底的上方的光电感应层，所述光电感应层含有的光电材料至少部分被氧化，沿着靠近所述衬底的方向，所述光电材料中的氧元素的含量逐渐降低。

形成在所述光电感应层上的第一电极，所述第一电极靠近所述衬底的表面伸入所述光电感应层的内部。

以及形成在所述光电感应层背离所述衬底的表面的第二电极，所述第二电极的至少部分部位透光。

与现有技术相比，本发明实施例提供的光电探测器中，通过在衬底上方形成光电感应层，且光电感应层含有的光电材料至少部分被氧化，沿着靠近衬底的方向，光电材料中的氧元素的含量逐渐降低。由于该光电感应层背离所述衬底的表面被充分氧化，使得其带隙较宽，可以实现波长较短的紫外光的吸收，且沿着靠近衬底的方向，该光电材料中的氧元素的含量逐渐降低，氧化程度逐渐减弱，其带隙逐渐变窄，此时，可以吸收能量较低的光子，以实现波长较长的可见光和红外光的吸收，因此，本发明实施例提供的光电探测器通过对光电感应层的部分氧化，从而有效调控光电感应层中的光电材料的带隙宽度，增大了光电感应层的吸光波长范围，实现了紫外-可见-红外的宽谱吸收，扩大了光电探测器的应用范围。且通过上述不完全氧化工艺制备的光电感应层的成本低，工艺简单，污染小。

本发明还提供一种光电探测器的制备方法，包括：

提供一表面形成光电感应层的衬底。

对所述光电感应层进行梯度氧化，得到梯度氧化层，所述光电感应层含有的光电材料至少部分被氧化，沿着靠近所述衬底的方向，所述光电材料中的氧元素的含量逐渐降低。

在所述光电感应层上形成第一电极，所述第一电极靠近所述衬底的表面伸入所述光电感应层的内部。

在所述光电感应层背离所述衬底的表面形成第二电极，所述第二电极的至少部分部位透光。

与现有技术相比，本发明提供的光电探测器的制备方法的有益效果与上述技术方案所述光电探测器的有益效果相同，此处不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的一种光电探测器的结构示意图；