[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底的上方的光电感应层，所述光电感应层含有的光电材料至少部分被氧化，沿着靠近所述衬底的方向，所述光电材料中的氧元素的含量逐渐降低，氧化程度逐渐减弱，所述光电材料的带隙逐渐变窄；

形成在所述光电感应层上的第一电极，所述第一电极靠近所述衬底的表面伸入所述光电感应层的内部；

以及形成在所述光电感应层背离所述衬底的表面的第二电极，所述第二电极的至少部分部位透光。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，沿着靠近所述衬底的方向，所述氧元素的含量从100%降低至0%。

3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极靠近所述衬底的表面与所述氧元素含量为0%的部分所述光电材料连接。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电材料为多元金属光电材料。

5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述多元金属光电材料中至少含有钛元素；和/或，

所述多元金属光电材料中还含有铝元素、钨元素、钼元素、铪元素中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电感应层的厚度为20nm~200nm。

7.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电感应层中，所述氧元素的含量不高于含量阈值的部位厚度为10nm~30nm，所述氧元素的含量阈值为0%。

8.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二电极包括形成在所述光电感应层背离所述衬底的表面的透明电极层，以及形成在所述透明电极层上的金属电极。

9.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一表面形成光电感应层的衬底；

对所述光电感应层进行梯度氧化，得到梯度氧化层，所述光电感应层含有的光电材料至少部分被氧化，沿着靠近所述衬底的方向，所述光电材料中的氧元素的含量逐渐降低，氧化程度逐渐减弱，所述光电材料的带隙逐渐变窄；

在所述光电感应层上形成第一电极，所述第一电极靠近所述衬底的表面伸入所述光电感应层的内部；

在所述光电感应层背离所述衬底的表面形成第二电极，所述第二电极的至少部分部位透光。

10.根据权利要求9所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述光电材料为多元金属光电材料，所述多元金属光电材料中至少含有钛元素，其中，所述钛元素的质量含量大于90%；和/或，

所述多元金属光电材料中还含有铝元素、钨元素、钼元素、铪元素中的一种或多种。

11.根据权利要求9所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述光电感应层进行梯度氧化，得到梯度氧化层包括：

在空气气氛中，利用加热板对所述衬底进行加热，使得所述光电感应层被梯度氧化，得到梯度氧化层，所述加热板的加热面与衬底接触。

12.根据权利要求9所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述光电感应层进行梯度氧化，得到梯度氧化层包括：

在空气气氛中，利用加热炉对所述衬底进行加热，使得所述光电感应层被梯度氧化，得到梯度氧化层。

13.根据权利要求9所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述梯度氧化的温度为300℃~600℃，所述梯度氧化的氧化时间为1h~5h。

14.根据权利要求9所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述梯度氧化的温度为恒温氧化；或，

所述梯度氧化的温度为变温氧化，所述变温氧化的规律为：将所述衬底在300℃，氧化0.4h~2.5h，升温至400℃氧化0.3h~1.5h，升温至500℃氧化0.2h~0.5h，升温至600℃氧化0.1h~0.5h。