[发明专利]一种量子点发光二极管及制作方法在审
| 申请号： | 202210372331.2 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114583087A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王福芝;刘怡娜;朱晓东;王洋;李美成;白一鸣 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张影 |
| 地址： | 102206 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 制作方法 | ||
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：
衬底；
位于所述衬底一侧的量子点发光层；
位于所述量子点发光层背离所述衬底一侧或者位于所述衬底背离所述量子点发光层一侧的光路调整层；
其中，所述光路调整层用于对所述量子点发光二极管发出的光进行光路调整。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述光路调整层的材料为X(ACB1)4配合物材料，其中，X为第三副族金属元素。
3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述X(ACB1)4配合物材料为乙酰丙酮铪(Hf(ACB1)4)配合物材料或乙酰丙酮锆(Zr(ACB1)4)配合物材料。
4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述X(ACB1)4配合物材料的溶液浓度为1mg/ml-10mg/ml。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述光路调整层包括多个光路调整结构，任一所述光路调整结构背离所述衬底的一端为弧面，所述弧面朝向背离所述衬底的方向凸起。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：
位于所述衬底与所述量子点发光层之间，且在第一方向上依次堆叠设置的第一电极、空穴注入层以及空穴传输层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述量子点发光层；
位于所述量子点发光层背离所述衬底一侧电子传输层；
位于所述电子传输层背离所述衬底一侧的第二电极；
其中，所述光路调整层位于所述第二电极背离所述衬底一侧或者位于所述衬底背离所述第二电极一侧。
7.一种量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背离所述衬底一侧或者在所述衬底背离所述量子点发光层一侧形成光路调整层；其中，所述光路调整层用于对所述量子点发光二极管发出的光进行光路调整。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述光路调整层的材料为X(ACB1)4配合物材料，其中，X为第三副族金属元素。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述X(ACB1)4配合物材料为乙酰丙酮铪(Hf(ACB1)4)配合物材料或乙酰丙酮锆(Zr(ACB1)4)配合物材料。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述X(ACB1)4配合物材料的溶液浓度为1mg/ml-10mg/ml。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
