[发明专利]APT样品台及APT样品制备方法

说明书

本公开是关于一种用于测试半导体器件的APT样品台及APT样品制备方法，涉及半导体检测技术领域。该用于测试半导体器件的APT样品台，包括：样品支座，用于承载样品；样品载台，用于承载所述样品支座；其中，所述样品支座为金属支座，所述样品载台为硅衬底载台。本公开提高了样品台的导电性能。

技术领域

本公开涉及半导体检测技术领域，具体而言，涉及一种用于测试半导体器件的APT样品台及APT样品制备方法。

背景技术

APT(Atom Probe Tomography，原子探针层析技术)是一种在原子尺度上提供三维(3D)断层扫描图像和化学识别的技术。在进行3D APT测试时，样品必须制成圆锥形，样品作为阳极接入正高压。

传统的制备APT样品时会将测试的目标区域提取出来放置在APT专用的样品台上，由于样品台的导电性能差，导致APT样品尖端的原子不容易蒸发。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种用于测试半导体器件的APT样品台及APT样品制备方法，以提高样品台的导电性能。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种用于测试半导体器件的APT样品台，包括：

样品支座，用于承载样品；

样品载台，用于承载所述样品支座；

其中，所述样品支座为金属支座，所述样品载台为硅衬底载台。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品支座有多个。

在本公开的一种示例性实施方式中，位于所述样品载台中间区域的所述样品支座高于位于所述样品载台周边区域的所述样品支座。

在本公开的一种示例性实施方式中，还包括：

金属薄膜，通过离子束溅射仪沉积金属金、铂、钯或铟在所述样品载台上得到。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述金属薄膜的厚度为1-10nm。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品载台为带掺杂的单晶硅衬底载台。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品载台的掺杂物为硼或磷。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品载台的掺杂浓度为10²⁰-10²¹atom/cm³，所述样品载台的电阻率为10^-4-10^-3Ω.cm。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品载台的厚度为50-700μm。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品支座的材质为金属钨、铂或金，所述样品支座的横截面为方形，所述样品支座的边长为5-10μm。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品支座的高度为5-20μm。

根据本公开的第二方面，提供一种APT样品制备方法，采用上述的样品台，包括：

提供硅衬底载台；

在所述硅衬底载台上沉积金属支座；

将提取的方形样品连接在所述金属支座上；

利用聚焦离子束对所述方形样品进行环切，获得圆锥状样品。