[发明专利]APT样品台及APT样品制备方法

权利要求书

1.一种用于测试半导体器件的APT样品台，其特征在于，包括：

样品支座，用于承载样品；

样品载台，用于承载所述样品支座；

其中，所述样品支座为金属支座，所述样品载台为硅衬底载台。

2.根据权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述样品支座有多个。

3.根据权利要求2所述的样品台，其特征在于，位于所述样品载台中间区域的所述样品支座高于位于所述样品载台周边区域的所述样品支座。

4.根据权利要求1所述的样品台，其特征在于，还包括：金属薄膜，通过离子束溅射仪沉积金属金、铂、钯或铟在所述样品载台上得到。

5.根据权利要求4所述的样品台，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为1-10nm。

6.根据权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述样品载台为带掺杂的单晶硅衬底载台。

7.根据权利要求6所述的样品台，其特征在于，所述样品载台的掺杂物为硼或磷。

8.根据权利要求7所述的样品台，其特征在于，所述样品载台的掺杂浓度为10²⁰-10²¹atom/cm³，所述样品载台的电阻率为10^-4-10^-3Ω.cm。

9.根据权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述样品载台的厚度为50-700μm。

10.根据权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述样品支座的材质为金属钨、铂或金，所述样品支座的横截面为方形，所述样品支座的边长为5-10μm。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的样品台，其特征在于，所述样品支座的高度为5-20μm。

12.一种APT样品制备方法，采用如权利要求1所述的样品台，其特征在于，包括：

提供硅衬底载台；

在所述硅衬底载台上沉积金属支座；

将提取的方形样品连接在所述金属支座上；

利用聚焦离子束对所述方形样品进行环切，获得圆锥状样品。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述将提取的方形样品连接在所述金属支座上，包括：

将所述方形样品通过聚焦离子束沉积金属钨或铂来连接在所述金属支座上。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，提取方形样品，包括：

从样品原料中切割所述方形样品；

通过聚焦离子束的钨针提取所述方形样品。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，通过聚焦离子束的钨针提取所述方形样品，包括：

在切割后的所述方形样品表面沉积金属铂；

将所述钨针与所述金属铂连接，以提取所述方形样品。