[发明专利]三维存储器、制备方法以及存储系统

说明书

本申请提供了一种三维存储器、制备方法及存储系统，三维存储器包括：叠层结构；覆盖加固层，设置于叠层结构上；栅线间隙结构，沿叠层结构的堆叠方向贯穿叠层结构，并在垂直于堆叠方向的第一方向延伸，其中覆盖加固层包括至少一个隔离结构，隔离结构沿堆叠方向贯穿覆盖加固层，并与栅线间隙结构彼此连通。本申请提供的三维存储器通过在叠层结构上设置覆盖加固层，不但可增强三维存储器结构的连接和固定，还可改善和释放三维存储器结构的局部应力，增加三维存储器结构的稳定性。

技术领域

本申请涉及半导体设计及制造领域，更具体地，涉及一种三维存储器、一种三维存储器制备方法以及一种存储系统。

背景技术

在常规三维存储器中，随着堆叠层数的增加，叠层结构中不同层之间的延展性变差。这些技术问题最终影响制备的三维存储器的电性能，导致其可靠性劣化或晶圆测试良率低。

因而，如何在不影响三维存储器性能的前提下，提高其结构的稳定性是目前亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供可至少部分地解决相关技术中存在的上述问题的三维存储器、制备方法及存储系统。

本申请一方面提供一种三维存储器，所述三维存储器包括：叠层结构；覆盖加固层，设置于所述叠层结构上；栅线间隙结构，沿所述叠层结构的堆叠方向贯穿所述叠层结构，并在垂直于所述堆叠方向的第一方向延伸，其中，覆盖加固层包括至少一个隔离结构，所述隔离结构沿所述堆叠方向贯穿所述覆盖加固层，并与所述栅线间隙结构彼此连通。

在一个实施方式中，所述隔离结构在第二方向的关键尺寸大于所述栅线间隙结构在所述第二方向的关键尺寸，其中所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向。

在一个实施方式中，所述隔离结构在所述第一方向连续地延伸；或者所述隔离结构在所述第一方向间断地延伸，并被划分为多个隔离分部。

在一个实施方式中，所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，其中，设置于相邻的第一栅线间隙结构上的隔离分部在所述第二方向彼此对准排列或彼此交错排列。

在一个实施方式中，所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，以及所述第二栅线间隙结构将每个所述存储块进一步分割成多个指存储区，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，其中，每个所述存储块包括多个所述第二栅线间隙结构；以及设置于相邻的所述第二栅线间隙结构上的隔离分部在所述第二方向彼此对准排列或彼此交错排列。

在一个实施方式中，所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，以及所述第二栅线间隙结构将每个所述存储块进一步分割成多个指存储区，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，其中，每个所述存储块包括至少一个所述第二栅线间隙结构；以及设置于相邻的所述第一栅线间隙结构和所述第二栅线间隙结构上的隔离分部在所述第二方向彼此对准排列或彼此交错排列。

在一个实施方式中，设置于同一栅线间隙结构上的隔离分部在所述第一方向具有相同的延伸尺寸。

在一个实施方式中，所述设置于同一栅线间隙结构上的隔离分部在所述第一方向的间隔距离小于所述延伸尺寸。

在一个实施方式中，所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，其中，位于同一存储块中的隔离分部在所述第一方向具有相同的延伸尺寸。