[发明专利]三维存储器、制备方法以及存储系统

权利要求书

1.一种三维存储器，其中，包括：

叠层结构；

覆盖加固层，设置于所述叠层结构上；

栅线间隙结构，沿所述叠层结构的堆叠方向贯穿所述叠层结构，并在垂直于所述堆叠方向的第一方向延伸，

其中，覆盖加固层包括至少一个隔离结构，所述隔离结构沿所述堆叠方向贯穿所述覆盖加固层，并与所述栅线间隙结构彼此连通。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，

所述隔离结构在第二方向的关键尺寸大于所述栅线间隙结构在所述第二方向的关键尺寸，其中所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其中，

所述隔离结构在所述第一方向连续地延伸；或者

所述隔离结构在所述第一方向间断地延伸，并被划分为多个隔离分部。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，

所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，

其中，设置于相邻的第一栅线间隙结构上的隔离分部在所述第二方向彼此对准排列或彼此交错排列。

5.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，

所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，以及所述第二栅线间隙结构将每个所述存储块进一步分割成多个指存储区，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，

其中，每个所述存储块包括多个所述第二栅线间隙结构；以及

设置于相邻的所述第二栅线间隙结构上的隔离分部在所述第二方向彼此对准排列或彼此交错排列。

6.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，

所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，以及所述第二栅线间隙结构将每个所述存储块进一步分割成多个指存储区，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，

其中，每个所述存储块包括至少一个所述第二栅线间隙结构；以及

设置于相邻的所述第一栅线间隙结构和所述第二栅线间隙结构上的隔离分部在所述第二方向彼此对准排列或彼此交错排列。

7.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，

设置于同一栅线间隙结构上的隔离分部在所述第一方向具有相同的延伸尺寸。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，

所述设置于同一栅线间隙结构上的隔离分部在所述第一方向的间隔距离小于所述延伸尺寸。

9.根据权利要求3所述的三维存储器，其中所述栅线间隙结构包括在第二方向间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中所述第一栅线间隙结构将所述叠层结构分割成多个存储块，所述第二方向垂直于所述堆叠方向、并垂直于所述第一方向，

其中，位于同一存储块中的隔离分部在所述第一方向具有相同的延伸尺寸。

10.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，所述栅线间隙结构包括：

沿所述堆叠方向贯穿所述叠层结构，并在所述第一方向延伸的栅线间隙；以及

设置于所述栅线间隙中的间隙填充层，

其中，所述间隙填充层包括第一半导体填充层。