[发明专利]一种InGaN可见光探测器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210360039.9 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114883433A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李国强;孔德麒;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0336;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 余凯欢 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 可见光 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种InGaN可见光探测器，其特征在于：包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ti3C2电极；所述缓冲层为从下到上依次设置的AlN层、AlGaN层和GaN层，其中AlN层设置在所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的InGaN可见光探测器，其特征在于：所述Ti3C2电极的厚度为20nm～30nm。
3.根据权利要求1所述的InGaN可见光探测器，其特征在于：所述InGaN功能层中In组分的摩尔分数为10％～30％。
4.根据权利要求1所述的InGaN可见光探测器，其特征在于：所述InGaN功能层的厚度为25nm～50nm。
5.根据权利要求1所述的InGaN可见光探测器，其特征在于：所述缓冲层中的AlN层、AlGaN层和GaN层的厚度分别为250nm～350nm、250nm～350nm、1.0μm～2.0μm。
6.一种如权利要求1～5任一项所述的InGaN可见光探测器的制备方法，包括以下步骤：
S1：在衬底上生长缓冲层，再在缓冲层上生长InGaN功能层；
S2：在InGaN功能层上表面光刻，并通过湿法转移工艺将Ti3C2电极转移在InGaN功能层上表面。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述湿法转移方法是指：将Ti3C2配置成浓度为0.005mg/mL～0.01mg/mL，滴在InGaN功能层表面上，在55℃～65℃，真空条件下烘干水分，得到所述Ti3C2电极。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：S2中，所述光刻包括以下步骤：匀胶、烘胶、曝光和显影。
9.一种如权利要求1～5任一项所述的InGaN可见光探测器在蓝光检测中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述蓝光检测为0V～5V偏压下的蓝光检测。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
