[发明专利]一种新型IGBT器件的制备工艺

权利要求书

1.一种新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：在衬底上进行沟槽刻蚀后，进行多晶硅掺杂、刻蚀，形成平面栅区域，所述平面栅区域形成后，进行P阱及N阱注入。

2.根据权利要求1所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述进行多晶硅掺杂、刻蚀，形成平面栅区域的步骤中，包括以下步骤：

进行多晶硅沉积、掺杂，形成多晶硅栅；

对所述多晶硅栅进行光刻：依次进行涂胶、曝光、显影，形成平面栅区域；

对所述多晶硅栅进行刻蚀，去除平面部分的暴露的多晶硅；

去除光刻胶。

3.根据权利要求2所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述进行多晶硅沉积、掺杂，形成多晶硅栅步骤中，通过CVD方式进行多晶硅的沉积、掺杂，多晶硅沉积厚度为3000-20000A，掺杂浓度为1E16-1E22cm-3。

4.根据权利要求1-3任一项所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述在衬底上进行沟槽刻蚀步骤中，进行沟槽刻蚀及栅极氧化，形成沟槽，并在沟槽侧壁及顶部平面部分形成栅极氧化层，包括以下步骤：

进行第一介质层沉积：在所述衬底上沉积一层第一介质层；

沟槽层光刻：在所述第一介质层上进行涂胶、曝光、显影，形成沟槽区域；

对所述第一介质层进行刻蚀，去除所述沟槽区域的第一介质层；

去除所述沟槽层光刻时的光刻胶；

进行沟槽刻蚀；

去除所述第一介质层；

进行栅极氧化，形成所述栅极氧化层。

5.根据权利要求4所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述进行沟槽刻蚀步骤中，刻蚀深度为1um-10um，沟槽侧壁角度为85°-95°。

6.根据权利要求5所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述进行栅极氧化，形成所述栅极氧化层步骤中，通过热氧化方式或CVD方式形成所述栅极氧化层，所述栅极氧化层厚度为200-5000A。

7.根据权利要求1-3、5和6任一项所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述进行P阱及N阱注入步骤中，其中，P阱注入包括以下步骤：

P阱注入，注入剂量为1E12-1E16，注入能量30keV-160keV；

P阱推进，形成具有一定深度的P阱，深度范围为2um-7um。

8.根据权利要求7所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：P阱推进后，进行N阱注入，N阱注入包括以下步骤：

N阱光刻，依次进行涂胶、曝光、显影，形成N阱区域；

N阱注入；

去除所述N阱光刻时的光刻胶。

9.根据权利要求1-3、5、6和8任一项所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述N阱注入后进行N阱激活及孔层刻蚀，包括以下步骤：

介质层沉积；

进行N阱激活；

孔层光刻，依次进行涂胶、曝光、显影，形成接触孔区域；

孔层刻蚀，对所述接触孔区域进行刻蚀，去除所述孔层光刻时的光刻胶。

10.根据权利要求9所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述介质层沉积步骤中，通过热氧化方式或CVD方式沉积，所述介质层厚度为2000-30000A，所述介质层材质为二氧化硅、TEOS、PSG、BPSG或氮化硅。

11.根据权利要求10所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述进行N阱激活步骤中，通过炉管方式或快速退火方式进行N阱激活，温度为800℃-1100℃，时间为30s-120min。

12.根据权利要求9所述的新型IGBT器件的制备工艺，其特征在于：所述孔层刻蚀后，进行金属电极沉积，通过蒸发或溅射的方式沉积金属电极，厚度为3000-80000A。