[发明专利]聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆及其制备方法

说明书

本发明涉及聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆及其制备方法，该导电银浆包括40‑80份银粉、3‑10份柔性树脂、20‑60份高沸点溶剂、0‑5份偶联剂、0‑5份分散剂和0‑5份抗沉降剂组成。所述银粉由片式雪花状银粉和球形亚微米银粉组成；所述片式雪花状银粉厚度为50‑150nm，直径为4‑6μm；所述球形亚微米银粉粒径为400‑800nm；所述片式雪花状银粉和球形亚微米银粉的比例为(48‑75):(25‑52)。本导电银浆可以实现对聚合物片式钽电容器芯块表面边角的全面包裹性，对芯块石墨层的附着力为5B，银浆固化后钽电容芯块的等效串联电阻(ESR)值变化量小于4mΩ，且该银浆层的抗冲击强度优异，在塑封后聚合物片式钽电容产品的等效串联电阻(ESR)值变化量小于1mΩ。

技术领域

本发明涉及电子元器件封装用导电浆料技术领域，具体是聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆。

背景技术

随着科技的进步和电子产品性能的不断提升，电子元器件正朝着小型化、低ESR、低阻抗、高可靠性的方向发展。传统的以二氧化锰为阴极材料的片式钽电解电容器已无法满足要求，以导电聚合物为阴极材料的片式钽电解电容器具有ESR低、频率特性好的优点，但目前国产聚合物片式钽电容无法将ESR值降低至10mΩ以下。

聚合物片式钽电容的ESR值主要来源于石墨层和银浆层间的界面电阻，通常在银浆后和塑封后钽电容产品的ESR值变化较大，从而对导电银浆层提出了一定的挑战。

首先，大多数的导电浆料，采用常规的片式或微米级球形银粉为导电填料，利用银粉的流动性达到在浸渍时提高芯块表面银浆的流平性和降低银浆层厚度，从而达到降低芯块在银浆后ESR值的效果。然而，芯块在静置时，银浆中片式或微米球形粉的流动性会使边角包裹性变差，易露出内部的石墨层。在塑封过程中，芯块边角难以抵抗塑封力，芯块内部聚合物层甚至介质层易遭到机械破坏，从而导致芯块在塑封后ESR明显上升，严重影响聚合物片式钽电容器的可靠性。

其次，为了改善导电银浆层对芯块内部石墨层的粘接力，更好地抵抗塑封力，很多银浆中采用硬度较高的热塑型有机树脂体系，同时，为降低产品成本，市面上的银浆整体固含量较低，银浆在固化时发生较大的体收缩，产生的应力使内部聚合物层断裂；此外，较硬的银浆层因不具备柔韧性和弹性，在热应力和塑封力的作用下，在塑封过程中极易发生断裂现象，这会大幅度降低聚合物片式钽电容器的电性能。

因此有必要对现有技术作出改进，以解决现有技术中存在的缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，以解决现有技术中存在的缺陷。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

可降低聚合物片式钽电容器阻抗的导电浆料，按质量份计，由40-80份银粉、3-10份柔性树脂、20-60份溶剂、0-5份偶联剂、0-5份分散剂和0-5份抗沉降剂组成。

作为优选，所述的银粉由片式雪花状银粉和球形亚微米银粉组成。

作为优选，所述的片式雪花状银粉厚度为50-150nm，直径为4-6μm。

作为优选，所述的球形亚微米银粉粒径为400-800nm。

作为优选，所述的片式雪花状银粉和球形亚微米银粉的比例为(48-75):(25-52)。

作为优选，所述的柔性树脂选自聚醚改性环氧树脂、聚酯弹性体、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯树脂中的一种或多种混合物。

作为优选，所述的柔性树脂优选聚酯弹性体。

作为优选，所述的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇丁醚醋酸酯中的一种或多种混合物。

作为优选，所述的偶联剂为氨基硅烷、乙烯基硅烷、异氰酸基硅烷和甲基丙烯酰氧基硅烷中的一种或多种混合物。