[发明专利]聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆及其制备方法

权利要求书

1.聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：按质量份计，所述导电银浆由40-80份银粉、3-10份柔性树脂、20-60份高沸点溶剂、0-5份偶联剂、0-5份分散剂和0-5份抗沉降剂组成。

2.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述的银粉由片式雪花状银粉和球形亚微米银粉组成。

3.根据权利要求2所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述的片式雪花状银粉厚度为50-150nm，直径为4-6μm。

4.根据权利要求2所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述球形亚微米银粉粒径为400-800nm。

5.根据权利要求2所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述的片式雪花状银粉和球形亚微米银粉的比例为(48-75):(25-52)。

6.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于:所述的柔性树脂为聚醚改性环氧树脂、聚酯弹性体、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯树脂中的一种或多种混合物。

7.根据权利要求6所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述的柔性树脂为聚酯弹性体。

8.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述的高沸点溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇丁醚醋酸酯中的一种或多种混合物。

9.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述的偶联剂为氨基硅烷、乙烯基硅烷、异氰酸基硅烷和甲基丙烯酰氧基硅烷中的一种或多种混合物。

10.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于所述的分散剂为支化结构的聚酯、含酸性基团的共聚物、不饱和多元羧酸聚合物、含环氧基团的接枝共聚物、丙烯酸接枝共聚物中的一种或多种混合物。

11.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，所述抗沉降剂包括气硅、有机膨润土、改性脲化合物中的一种或多种混合物。

12.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述银浆应用于聚合物片式钽电容阴极材料引出层。

13.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述银浆可以实现对聚合物片式钽电容器芯块表面边角的全面包裹性，对芯块石墨层的附着力为5B，银浆固化后聚合物钽电容产品的ESR值变化量小于4mΩ。

14.根据权利要求1所述的聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆，其特征在于：所述银浆在塑封后聚合物片式钽电容产品的ESR值变化量小于1mΩ。

15.聚合物片式钽电容用低阻抗导电银浆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)、取3-10份质量份的柔性树脂，溶解于20-60质量份的高沸点溶剂中，密封加热至70℃直至柔性树脂完全溶解；

2)、添加0-5份抗沉降剂和0-5份分散剂，采用自转公转搅拌机以2000rpm搅拌2min；

3)、添加40-80份质量份的银粉和0-5质量份的偶联剂，采用自转公转搅拌机以2000rpm搅拌2min；

4)、把上述步骤3获得的产物用三辊机分散研磨5遍，分散过程中温度控制在40℃以下；

5)、把分散好的银浆放入行星搅拌机中真空搅拌并脱泡2min即可。