[发明专利]一种用于半导体器件的热处理装置

权利要求书

1.一种用于半导体器件的热处理装置，包括竖直放置的热处理室(1)，其特征在于，所述热处理室(1)内的两端位置均设置有竖直放置的传动带(2)，两个所述传动带(2)的外壁之间设置有多个始终保持水平的输送板(3)，所述热处理室(1)的两侧外壁固定有竖直方向等距离分布的喷气机构(7)，所述喷气机构(7)设置有气泵和气流增强器，所述喷气机构(7)的进气端和出气端均连接有多个伸入至热处理室(1)内呈水平分布的喷气管(8)。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的热处理装置，其特征在于，所述热处理室(1)一侧的底部设置有进料输送座(4)，所述传动带(2)靠近进料输送座(4)的一侧自下向上运动，所述热处理室(1)远离进料输送座(4)的一侧底部设置有出料输送座(5)，所述热处理室(1)两端内壁之间处于传动带(2)中间的位置设置有隔热座(6)，所述隔热座(6)的底部水平穿透固定有伸缩机构(9)，所述伸缩机构(9)靠近出料输送座(5)的一侧连接有伸缩件(10)，所述伸缩机构(9)靠近进料输送座(4)的一侧固定有弹性材料制作的挡板(11)。

3.根据权利要求2所述的用于半导体器件的热处理装置，其特征在于，所述传动带(2)顶部的两侧均转动连接有支撑辊(14)，所述传动带(2)底部靠近进料输送座(4)的一侧转动连接有热风管(12)，所述传动带(2)底部靠近出料输送座(5)的一侧转动连接有冷风管(13)，所述热处理室(1)顶部的四角位置均连接有出风管(15)，所述热处理室(1)顶部和底部内壁的中间位置均设置有向内吹风的冲气件(18)。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的用于半导体器件的热处理装置，其特征在于，所述喷气管(8)的宽度自中间位置向两端逐渐增大，所述喷气管(8)与喷气机构(7)进气端连接的设置成回气管，所述喷气管(8)与喷气机构(7)出气端连接的设置成送气管，位于靠近进料输送座(4)侧的喷气机构(7)的回气管位于送气管的上方，位于靠近出料输送座(5)侧的喷气机构(7)的回气管位于送气管的下方。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的用于半导体器件的热处理装置，其特征在于，所述传动带(2)的外壁固定有等距离分布的固定座(19)，所述输送板(3)两端的中间位置均固定有固定管(20)，所述固定管(20)的圆周外壁与固定座(19)之间通过轴承转动连接，所述固定管(20)内的底部填装有配重块(21)。

6.根据权利要求5所述的用于半导体器件的热处理装置，其特征在于，所述输送板(3)的侧边开设有穿透设置的穿槽(22)，所述输送板(3)侧边开设有水平方向等距离分布的导流孔(23)，所述导流孔(23)的内径大于穿槽(22)的宽度，所述输送板(3)顶部与导流孔(23)对应的位置开设有等距离分布的穿孔(24)。

7.根据权利要求6所述的用于半导体器件的热处理装置，其特征在于，所述穿孔(24)的内径自上而下逐渐减小，所述穿孔(24)圆周内壁的下方开设有水平设置的环形槽，所述环形槽的内壁转动连接有滚球(25)，所述滚球(25)的圆周外壁开设有水平方向环形阵列分布的导流槽(27)，所述导流槽(27)在竖直方向上延伸设置，所述滚球(25)的顶端中心位置开设有穿透设置的通孔(26)。

8.根据权利要求2所述的用于半导体器件的热处理装置，其特征在于，所述隔热座(6)的中间位置开设有隔热腔(28)，所述热处理室(1)两端与隔热腔(28)对应的位置均连接有通风管(2801)，所述隔热座(6)的两侧均开设有等距离分布的穿透设置的安装槽，所述安装槽的顶部和底部内壁之间固定有弹性片(29)，所述安装槽的两端内壁均固定有与弹性片(29)边缘滑动连接的限位板(30)，所述通风管(2801)在抽气和鼓气之间周期性更替。