[发明专利]包含校准操作和具有可调整阈值电压的晶体管的存储器装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

电容器；

耦合到所述电容器的晶体管，所述晶体管和所述电容器包含在存储器单元中，所述晶体管包含沟道结构、包含位于所述沟道结构的一侧上的部分的栅极及位于所述沟道结构和所述栅极之间的介电结构；以及

裸片上电路系统，其配置成向所述晶体管选择性地施加应力条件以调节所述晶体管的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述裸片上电路系统包含内置式自测试BIST，用于检测所述晶体管的所述阈值电压是否在特定范围之外。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述介电结构包含第一介电部分和第二介电部分，所述第一介电部分和所述第二介电部分具有不同介电材料。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二介电部分具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。

5.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二介电部分包含氮化硅。

6.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二介电部分包含含有二氧化铝的材料。

7.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二介电部分包含含有铪的材料。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述介电结构包含第一介电部分和第二介电部分；

所述第一介电部分包含接触所述沟道结构的第一侧，及接触所述栅极和所述第二介电部分的第二侧；以及

所述第二介电部分的部分位于所述第一介电部分和所述栅极之间且接触所述第一介电部分和所述栅极。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述沟道结构包含半传导氧化物材料。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述介电结构是第一介电结构，所述晶体管的所述部分是第一部分，所述沟道结构的所述侧是第一侧，并且其中：

所述晶体管进一步包含位于所述栅极的第二部分和所述沟道结构的第二侧之间的第二介电结构。

11.根据权利要求10所述的设备，其中：

所述第一介电结构包含多个部分；且

所述第二介电结构包含多个部分。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述电容器包含位于所述晶体管的所述沟道结构之上且与其耦合的电极。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述电容器包含位于所述晶体管的所述沟道结构之上的额外电极。

14.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括位于所述存储器单元下面且耦合到所述晶体管的所述沟道结构的数据线。

15.一种设备，其包括：

包含存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元中的每一个包含晶体管和耦合到所述晶体管的电容器；以及

包含电路系统的存储器控制单元，所述存储器控制单元配置成执行包括以下的操作：

检测所述存储器单元当中的一存储器单元的所述晶体管的阈值电压是否在特定范围之外；以及

响应于所述检测所述存储器单元当中的一存储器单元的所述晶体管的所述阈值电压是否在所述特定范围之外，调整所述晶体管的所述阈值电压。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述调整包含增加所述晶体管的所述阈值电压。