[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210309999.2 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114744001A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 田中裕介;永野隆史;若野寿史;松沼健司 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈睆;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
半导体基板，所述半导体基板包括杂质区域；以及
配线层，所述配线层包括：
第一配线，所述第一配线连接至所述杂质区域；
第二配线；和
第一中空区域，其中，所述第一中空区域设置在所述第一配线与所述第二配线之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述杂质区域是浮置扩散区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括放大晶体管，其中，所述第二配线连接至所述放大晶体管。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述配线层还包括第二中空区域，并且所述第二配线设置在所述第一中空区域与所述第二中空区域之间。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二配线不接触所述第一中空区域和所述第二中空区域中的每一者。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一配线、所述第一中空区域、所述第二配线和所述第二中空区域依次排列在特定方向上。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述特定方向是水平方向。
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述配线层还包括第三配线，并且所述第二中空区域位于所述第二配线与所述第三配线之间。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括电源，其中，所述第三配线连接至所述电源。
10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：
光电二极管，所述光电二极管在所述半导体基板中；以及
传输晶体管，其中，所述光电二极管经由所述传输晶体管连接至所述杂质区域。
11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第一中空区域包括在所述第一配线与所述第二配线之间的区域的一部分。
12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第一配线不接触所述第一中空区域。
13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：
第一膜，所述第一膜包括设置在所述配线层中的氧化硅，其中，所述第一膜设置在所述第一配线与所述第一中空区域之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210309999.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
