[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备半导体基板，所述半导体基板具有有源区和外周区，

所述有源区具有晶体管部和二极管部，

所述外周区具有电流感测部，

包含寿命抑制剂的寿命控制区从所述二极管部设置到所述晶体管部的至少一部分，

所述电流感测部具有未设置所述寿命控制区的感测晶体管非照射区和设置有所述寿命控制区的感测晶体管照射区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述感测晶体管照射区与所述感测晶体管非照射区的面积比率等于所述晶体管部中设置有所述寿命控制区的边界区与非边界区的面积比率。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

栅极金属层，其设置于所述半导体基板的正面的上方；

发射极电极，其设置于所述半导体基板的正面的上方；以及

多个沟槽部，其在所述晶体管部、所述二极管部和所述电流感测部中设置于所述半导体基板的正面侧，

所述多个沟槽部包含与所述栅极金属层电连接的栅极沟槽部和与所述发射极电极电连接的虚设沟槽部，

所述电流感测部的每单位长度的所述栅极沟槽部的条数与所述虚设沟槽部的条数的比率与所述晶体管部中的所述比率相等。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述电流感测部具有沿着所述电流感测部的对置的端部的一方延伸的第一区和沿着另一端延伸的第二区，第一区和第二区是所述感测晶体管非照射区和所述感测晶体管照射区中的任意一方。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述电流感测部在所述感测晶体管非照射区与所述感测晶体管照射区之间还具有无效区。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述无效区设置有被设定为发射极电位的沟槽部。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述无效区中设置于所述半导体基板的正面侧的多个沟槽部之间的台面部的上表面不与所述发射极电极接触。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部和所述电流感测部具有设置于所述半导体基板的正面的第一导电型的发射区，

在所述无效区未设置所述发射区。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述无效区中设置有第二导电型的分离区。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部和所述二极管部具有设置于所述半导体基板的正面的第二导电型的基区，

所述无效区具有设置于所述半导体基板的正面的第二导电型的阱区，所述阱区的掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板的正面的上方还具备覆盖所述电流感测部的钝化层，

所述钝化层具有位于所述感测晶体管照射区的上方的开口部。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述开口部配置为端部与所述感测晶体管照射区的端部重叠或覆盖整个所述感测晶体管照射区。