[发明专利]三维存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

衬底；以及

存储堆叠结构，设置在所述衬底上，所述存储堆叠结构包括多个堆叠单元依序堆叠成阶梯状，其中，各所述堆叠单元具有阶梯斜率，任一设置于下方的所述堆叠单元的阶梯斜率的斜率小于任一设置于上方的所述堆叠单元的所述阶梯斜率。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，各所述堆叠单元还包括由下而上依序堆叠第一导体层、第一电介质层、第二导体层、以及第二电介质层，其中，所述第一导体层的侧壁具有第一斜率，所述第二导体层的侧壁具有第二斜率，各所述堆叠单元的所述阶梯斜率为所述第一斜率与所述第二斜率的平均值。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述第二斜率小于所述第一斜率。

4.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一导体层的所述侧壁相对于所述第一电介质层的底面具有第一夹角，所述第二导体层的所述侧壁相对于所述第二电介质层的底面具有第二夹角，其中，所述第二夹角小于所述第一夹角。

5.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一导体层与所述第二导体层包括相同的导电材质，所述第一电介质层与所述第二电介质层包括相同的电介质材质。

6.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一电介质层在垂直衬底的方向上未重叠于所述第一导体层的所述侧壁，并且，所述第二电介质层在垂直衬底的方向上未重叠于所述第二导体层的所述侧壁。

7.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一电介质层在垂直衬底的方向上部分重叠于所述第一导体层的所述侧壁，并且，所述第二电介质层在垂直衬底的方向上部分重叠于所述第二导体层的所述侧壁。

8.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一电介质层在垂直衬底的方向上完全重叠于所述第一导体层的所述侧壁，并且，所述第二电介质层在垂直衬底的方向上完全重叠于所述第二导体层的所述侧壁。

9.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，还包括：

层间电介质层，覆盖在所述存储堆叠结构上；以及

多个字线接触插塞，穿过所述层间电介质层，分别与各所述堆叠单元中的所述第二导体层直接接触。

10.根据权利要求9所述的三维存储器件，其特征在于，还包括：

绝缘层，设置在所述存储堆叠结构以及所述层间电介质层之间，所述绝缘层直接接触各所述堆叠单元的所述第一导体层的所述侧壁、所述第一电介质层的侧壁、所述第二导体层的所述侧壁、以及所述第二电介质层的侧壁。

11.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，还包括多个通道结构，设置在所述存储堆叠结构中，并贯穿所述存储堆叠结构。

12.一种三维存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；以及

于所述衬底上形成存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括多个堆叠单元依序堆叠成阶梯状，其中，各所述堆叠单元具有阶梯斜率，任一设置于下方的所述堆叠单元的阶梯斜率的斜率小于任一设置于上方的所述堆叠单元的所述阶梯斜率。

13.根据权利要求12所述的三维存储器件的制作方法，其特征在于，各所述堆叠单元还包括由下而上依序堆叠第一导体层、第一电介质层、第二导体层、以及第二电介质层，其中，所述第一导体层的侧壁具有第一斜率，所述第二导体层的侧壁具有第二斜率，各所述堆叠单元的所述阶梯斜率系为所述第一斜率与所述第二斜率的平均值。

14.根据权利要求13所述的三维存储器件的制作方法，其特征在于，所述第二斜率小于所述第一斜率。