[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202210274552.6 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN114628478A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 杨鸣;刘程;李振;秦少杰;鲍建东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置,包括:衬底基板,衬底基板包括预设区和显示区;显示层,显示层设在衬底基板的一侧,包括位于显示区的第一子像素和位于预设区的第二子像素;第一黑矩阵,第一黑矩阵设在显示层背离衬底基板一侧的显示区内,第一黑矩阵包括与第一子像素对应的多个第一开口;定型层,所述定型层至少部分位于所述预设区内,所述定型层包括多个透光部以及与所述第二子像素对应的多个第二开口;彩膜层,彩膜层设在显示层背离衬底基板的一侧;彩膜层包括位于显示区和预设区的多个彩色滤光片,彩色滤光片与第一开口和第二开口的位置对应。
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,简称OLED)主要有可自主发光,可设置柔性屏,发光效率高,响应时间快等优点。随着屏幕生产技术的进步,OLED屏幕设计为了追求更高的屏占比以及电子元器件的更高集成度,具有显示功能的屏下摄像技术和屏下指纹技术等屏下技术成为强诉求。
例如,具备显示功能的屏下摄像技术是使环境光线透过屏幕膜层到达底层被摄像头捕捉到进行成像,这种技术要求OLED器件的膜层材料具有比较高的透过率。COE(Colorfilter on encapsulation)在FDC(Full Display with Camera)上的应用对比偏光片而言具有更好的优势。
然而,由于黑矩阵(Black Matrix,BM)、彩膜层(Color Filter,CF)及电极层的遮挡,基于COE的OLED的透光率非常低,无法满足屏下技术对透过率的要求。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,可以实现屏下技术。
第一方面,本申请提供了一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括预设区和显示区;
显示层,所述显示层设在所述衬底基板的一侧,包括位于所述显示区的第一子像素和位于所述预设区的第二子像素;
第一黑矩阵,所述第一黑矩阵设在所述显示层背离所述衬底基板一侧的所述显示区内,所述第一黑矩阵包括与所述第一子像素对应的多个第一开口;
定型层,所述定型层至少部分位于所述预设区内,所述定型层包括多个透光部以及与所述第二子像素对应的多个第二开口;
彩膜层,所述彩膜层设在所述显示层背离所述衬底基板的一侧;所述彩膜层包括位于所述显示区和所述预设区的多个彩色滤光片,所述彩色滤光片与所述第一开口和所述第二开口的位置对应。
可选地,所述定型层与所述第一黑矩阵同层设置。
可选地,单位面积内所述定型层与所述第一黑矩阵的覆盖面积基本相等。
可选地,在所述定型层的覆盖区域内,所述定型层上设置有贯穿所述定型层上表面和所述定型层下表面的凹槽。
可选地,所述定型层包括第二黑矩阵,所述定型层包括用于形成所述第二开口的多个定型部,所述定型部包括所述透光部形成的透光部和所述第二黑矩阵形成的第二遮光部。
可选地,所述第一黑矩阵包括用于形成所述第一开口的第一遮光部,所述第一遮光部的宽度大于所述第二遮光部的第二宽度。
可选地,在显示区和预设区分界处包括第三遮光部,所述第三遮光部的宽度小于所述显示区内第一遮光部宽度;和/或,所述第三遮光部的宽度大于所述预设区内第二遮光部的宽度。
可选地,所述透光部位于第二遮光部的至少一侧;或所述透光部围绕所述第二遮光部设置;或者,至少部分所述透光部与所述第二遮光部存在交叠。
可选地,所述定型层的透过率不小于95%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的