[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有设置在半导体衬底上的高压电路区域、晶体管元件区域、对所述晶体管元件区域和所述高压电路区域进行元件分离的分离区域、以及包含多列导电体的电容耦合型场板，其中，

在俯视观察所述半导体装置时，所述电容耦合型场板以横穿所述晶体管元件区域并且包围所述高压电路区域的方式配置，

所述电容耦合型场板的所述多列导电体中的至少1列具有截断部，该截断部将所述导电体截断而使之不连续。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察所述半导体装置时，所述截断部以所述分离区域为基准配置于所述高压电路区域侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察所述半导体装置时，所述截断部以所述分离区域为基准配置于所述晶体管元件区域侧。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察所述半导体装置时，所述电容耦合型场板包含：

具有以所述分离区域为基准配置于所述高压电路区域侧的所述截断部的至少1列的导电体；以及

具有以所述分离区域为基准配置于所述晶体管元件区域侧的所述截断部的至少1列的导电体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察所述半导体装置时，所述截断部以与所述分离区域重叠的方式配置。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具有屏蔽电极，该屏蔽电极配置于所述截断部上。

7.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述电容耦合型场板中，所述多列导电体全部具有所述截断部。

8.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察所述半导体装置时，在所述高压电路区域的周围配置有表面降场区域。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察所述半导体装置时，所述表面降场区域不配置于被所述高压电路区域和所述晶体管元件区域夹着的区域。

10.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察所述半导体装置时，由所述截断部截断的所述导电体的截断宽度为所述分离区域的宽度以下。

11.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具有低压电路区域。

12.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有第1导电型，

所述高压电路区域配置于所述半导体衬底上的第2导电型的第1半导体区域内，

所述晶体管元件区域在所述半导体衬底上具有：与所述第1半导体区域分离的第2导电型的第2半导体区域上的高压侧主电极；低压侧主电极；以及配置于所述高压侧主电极与所述低压侧主电极之间的控制电极，

所述分离区域是第1导电型的半导体区域，

在俯视观察所述半导体装置时，所述电容耦合型场板具有：第1导电体组，其与所述高压电路区域的外缘的一部分重叠，以多列导电体进行电容性耦合的方式相互分离；以及第2导电体组，其配置于所述晶体管元件区域的所述高压侧主电极与所述控制电极之间，以多列导电体进行电容性耦合的方式相互分离，所述第1导电体组的一端与所述第1半导体区域电连接，所述第1导电体组的另一端与第1导电型的第3半导体区域电连接，该第1导电型的第3半导体区域与所述半导体衬底电连接，所述第2导电体组的一端与所述高压侧主电极电连接，所述第2导电体组的另一端与所述控制电极或所述低压侧主电极电连接，

所述截断部将所述第1导电体组的导电体以及与该第1导电体组的导电体相邻的所述第2导电体组的导电体分别截断而使之不连续。