[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成底部选择栅结构；

形成贯穿所述底部选择栅结构并延伸至所述衬底的虚拟沟道底部开口；

在所述虚拟沟道底部开口中形成虚拟沟道底部结构；

在所述底部选择栅结构上形成堆叠结构；

形成贯穿所述堆叠结构并延伸至所述虚拟沟道底部结构的虚拟沟道上部开口；以及

基于所述虚拟沟道上部开口以及所述虚拟沟道底部结构形成虚拟沟道结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述虚拟沟道上部开口以及所述虚拟沟道底部结构形成虚拟沟道结构包括：

在所述虚拟沟道上部开口中形成虚拟沟道上部结构，所述虚拟沟道上部结构与所述虚拟沟道底部结构构成虚拟沟道结构。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述虚拟沟道底部结构的顶面的关键尺寸大于所述虚拟沟道上部结构的底面的关键尺寸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述虚拟沟道上部开口以及所述虚拟沟道底部结构形成虚拟沟道结构包括：

去除所述虚拟沟道底部结构，暴露出的所述虚拟沟道底部开口与所述虚拟沟道上部开口连通构成虚拟沟道开口；以及

在所述虚拟沟道开口中形成虚拟沟道结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成贯穿所述底部选择栅结构并延伸至所述衬底的虚拟沟道底部开口包括：

经由具有虚拟沟道底部开口图形、和底部选择栅切线开口图形的同一掩模版，在形成所述虚拟沟道底部开口的同时，形成贯穿所述底部选择栅结构并延伸至所述衬底的底部选择栅切线开口。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述虚拟沟道底部开口中形成虚拟沟道底部结构包括：

在形成所述虚拟沟道底部结构的同时，在所述底部选择栅切线开口中形成底部选择栅切线。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

在衬底上形成底部选择栅结构包括：

在所述衬底上交替堆叠多个第一绝缘层以及底部选择栅极牺牲层，堆叠的多个所述第一绝缘层以及底部选择栅极牺牲层形成所述底部选择栅结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述底部选择栅结构上形成堆叠结构包括：

在所述底部选择栅结构上交替堆叠多个第二绝缘层和多个栅极牺牲层；以及

在所述堆叠结构和所述底部选择栅结构的至少一侧形成台阶区，其中，至少部分所述虚拟沟道结构形成于所述台阶区。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的至少之一的材料包括氧化硅；所述底部选择栅极牺牲层和所述栅极牺牲层的至少之一的材料包括氮化硅。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述虚拟沟道底部开口中形成虚拟沟道底部结构包括：

以第一填充材料填充所述虚拟沟道底部开口，以形成所述虚拟沟道底部结构，其中，所述第一填充材料选自与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述底部选择栅极牺牲层和所述栅极牺牲层的材料在相同刻蚀条件下具有不同刻蚀速率的材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一填充材料包括氧化铝。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述虚拟沟道底部开口中形成虚拟沟道底部结构包括：

在所述虚拟沟道底部开口的内侧壁和底面形成间隔层；

在所述间隔层上形成停止层；以及

以第二填充材料填充所述虚拟沟道底部开口的剩余部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述间隔层的材料和所述第二填充材料的至少之一包括氧化硅；所述停止层的材料选自与所述第二绝缘层和所述栅极牺牲层的材料在相同刻蚀条件下具有不同刻蚀速率的材料。