[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够抑制背面研磨时的晶圆的厚度的不均。半导体装置的制造方法具有：准备晶圆的工序，该晶圆具备多个芯片区域聚集而成的器件区域和上述器件区域的周围的周边区域；呈环状地除去上述周边区域的一部分的工序；在上述晶圆的一方的面形成保护层的工序；以及在上述一方的面形成有上述保护层的状态下，对上述晶圆的另一方的面进行研磨的工序。

技术领域

本公开涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

在制造半导体装置时，在晶圆的一方的面形成元件之后，为了使晶圆成为预定的厚度而对另一方的面进行研磨。该研磨被称为背面研磨(Back Grinding)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-173961号公报

专利文献2：日本特开2004-22899号公报

专利文献3：日本特开2017-69276号公报

专利文献4：日本特开2014-154815号公报

专利文献5：日本专利第5877663号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在现有的方法中，存在以下情况：在背面研磨时，晶圆的厚度产生不均。

本公开的目的在于提供一种能够抑制背面研磨时的晶圆的厚度的不均的半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方案

本公开的一个方案的半导体装置的制造方法具有：准备晶圆的工序，该晶圆具备多个芯片区域聚集而成的器件区域和上述器件区域的周围的周边区域；呈环状地除去上述周边区域的一部分的工序；在上述晶圆的一方的面形成保护层的工序；以及在上述一方的面形成有上述保护层的状态下，对上述晶圆的另一方的面进行研磨的工序。

本公开的另一个方案的半导体装置的制造方法具有：准备晶圆的工序，该晶圆具备多个芯片区域聚集而成的器件区域和上述器件区域的周围的周边区域；在上述晶圆的一方的面形成保护层的工序；以及在上述一方的面形成有上述保护层的状态下，对上述晶圆的另一方的面进行研磨的工序，准备上述晶圆的工序具有：在上述一方的面设置感光性抗蚀剂膜的工序；以及使上述感光性抗蚀剂膜曝光的工序，在对上述另一方的面进行研磨的工序之后，具有通过使上述感光性抗蚀剂膜显影，从而对每个上述芯片区域在上述一方的面形成柱的工序。

发明的效果

根据本公开，能够抑制背面研磨时的晶圆的厚度的不均。

附图说明

图1是表示形成具备柱的半导体芯片的情况的背面研磨的图。

图2是表示半导体装置的结构的剖视图。

图3是表示除去模制树脂后的状态的半导体装置的俯视图。

图4是表示第一实施方式中的传感器芯片的制造方法的流程图(之一)。

图5是表示第一实施方式中的传感器芯片的制造方法的流程图(之二)。

图6是表示第一实施方式中的传感器芯片的制造方法的俯视图(之一)。

图7是表示第一实施方式中的传感器芯片的制造方法的俯视图(之二)。

图8是表示第一实施方式中的传感器芯片的制造方法的剖视图(之一)。

图9是表示第一实施方式中的传感器芯片的制造方法的剖视图(之二)。

图10是表示第一实施方式中的传感器芯片的制造方法的剖视图(之三)。