[发明专利]使用非垂直工艺方案来减小布局尺寸的系统和方法

权利要求书

1.一种半导体处理方法，包括：

存储与晶圆的第一布局相关联的布局数据；

从所述布局数据中提取指示与所述第一布局的特征相关联的尺寸的特征数据；

将所述特征数据与选择规则进行比较；以及

响应于所述特征数据满足所述选择规则，来选择非垂直粒子轰击工艺以用于在所述晶圆中实现所述第一布局。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：响应于选择所述非垂直粒子轰击工艺而调整所述第一布局。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：响应于选择所述非垂直粒子轰击工艺以用于所述第一布局，而调整与在所述第一布局之前或之后的晶圆处理阶段相对应的第二布局。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，调整所述第一布局包括：使第一导电过孔位置和第二导电过孔位置更靠近在一起。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择规则包括在第一方向上彼此对齐的相邻布局特征的阈值端到端分隔距离。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择规则包括在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此分隔开的相邻布局特征的阈值边到边分隔距离，所述第二方向垂直于所述第一方向。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非垂直粒子轰击工艺是定向等离子体蚀刻工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非垂直粒子轰击工艺是离子轰击工艺。

9.一种半导体处理方法，包括：

分析与晶圆处理相关联的布局；

针对所述布局，基于与所述布局的特征相关联的尺寸来选择非垂直粒子轰击工艺；

根据所述布局的图案，利用光刻工艺在晶圆上的掩模中限定第一沟槽和第二沟槽；以及

通过对所述晶圆执行所述非垂直粒子轰击工艺来调整所述第一沟槽和所述第二沟槽的尺寸。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一金属线，在所述衬底中在第一方向上延伸，并且具有第一圆形端部；

第二金属线，在所述衬底中在所述第一方向上与所述第一金属线成一条直线延伸，并且具有第二圆形端部，所述第二圆形端部与所述第一圆形端部分隔开端到端分隔距离；以及

第三金属线，在所述衬底中在所述第一方向上延伸，并且在第二方向上与所述第一金属线分隔开边到边分隔距离，所述边到边分隔距离大于或等于所述端到端分隔距离，所述第二方向垂直于所述第一方向。