[发明专利]一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体用BOE蚀刻液制备装置,包括制备桶、用于放置制备桶的仿形座和制备搅拌机构，仿形座的内壁设置有与制备桶相适配的冷却水套，制备桶的顶部向外成型有用于搭接在仿形座上的折边，制备搅拌机构包括门架、升降台、制备搅拌电机、搅拌桨、密封盖和两个升降驱动装置B，门且密封盖上设置有若干个用于不同药剂投料的投料口，升降台设置在门架的横梁底部中心，且制备搅拌电机设置在升降台的台面下方，制备搅拌电机的输出轴穿过密封盖与搅拌桨连接，本发明设置的BOE蚀刻液制备装置能方便各个药剂进行快速投料搅拌，且方便对制备桶进行搬运下料，相较于现有中的制备设备，效率大大提高，且提高了工作效率。

技术领域

本发明涉及BOE蚀刻液生产技术领域，尤其涉及一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法。

背景技术

随着世界半导体行业制造行业向中国大陆的逐步转移，国内对缓冲氧化蚀刻剂的需求量逐年增长。缓冲氧化蚀刻剂主要用于微电子行业，可作为清洗剂、蚀刻剂，在半导体工业中常用于蚀刻无光刻胶护罩的氧化层。其主要成分为氢氟酸和氟化铵的酸性氟化铵蚀刻液，又称为BOE蚀刻液。蚀刻剂的表面张力是影响蚀刻速率和蚀刻质量的关键因素之一。

在BOE蚀刻液生产过程中需要将各种类型的药剂进行搅拌制备，再投入下一工序进行生产，现有技术中的BOE蚀刻液制备设备无法快速的对制备搅拌好的物料进行下料，且在制备过程会也无法快速的制备桶进行清洗，降低了工作效率，浪费了操作人员的工作时间。

发明内容

发明目的：为了解决背景技术中存在的不足，所以本发明公开了一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法。

技术方案：一种半导体用BOE蚀刻液制备装置,包括制备桶、用于放置制备桶的仿形座和制备搅拌机构，所述仿形座的内壁设置有与制备桶相适配的冷却水套，所述制备桶的顶部向外成型有用于搭接在仿形座上的折边，所述制备搅拌机构包括门架、升降台、制备搅拌电机、搅拌桨、密封盖和两个升降驱动装置B，所述门架的两个支脚设置在仿形座的两侧，两个升降驱动装置B分别设置在门架的横梁长度方向两侧，所述密封盖与两个升降驱动装置B连接，且所述密封盖上设置有若干个用于不同药剂投料的投料口，所述升降台设置在门架的横梁底部中心，且所述制备搅拌电机设置在升降台的台面下方，所述制备搅拌电机的输出轴穿过密封盖与搅拌桨连接。

进一步的是，所述折边的相对两侧上方设置有把手。

进一步的是，所述仿形座的相对两侧分别设置有用于方便冷却水套进水和出水的让位槽。

进一步的是，所述制备桶的内部成型有一圈搭接台阶，且所述搭接台阶上贴附有橡胶垫。

进一步的是，所述升降驱动装置A为驱动液压缸，两个升降驱动装置B均为电动推杆。

进一步的是，所述密封盖的中心设置有用于制备搅拌电机输出轴穿过的让位槽。

进一步的是，所述升降台包括伺服电缸和载台本体，伺服电缸设置在门架的横梁底部中心，所述载台本体与伺服电缸连接。

一种半导体用BOE蚀刻液制备方法，具体包括以下步骤，

第一步，通过密封盖上的若干个投料口分别向制备罐内注入49wt

％电子级氢氟酸(HF)，浓度为30wt％电子级氨水和超纯水依次加入到制备桶中，于室温下搅拌反应6-12小时，得到氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)的制备物(a)，所述制备物(a)中氢氟酸(HF)浓度为0.5-30wt％，氟化铵(NH4F)浓度为1-40wt％；

步骤二，待步骤一中所得制备物(a)通过向冷却水套内注入冷却水后冷却至室温，再通过密封盖的若干个投料口向制备桶内加入添加剂和烷基硫酸铵盐阴离子表面活性剂，所述的添加剂为脂肪族有机酸(C2-C12)、脂肪族有机碱(C2-C12)、脂肪族有机醇(C2-C12)中的一种或其组合物，得到制备物(b)；