[发明专利]集成电路结构和存储器结构在审
| 申请号: | 202210210773.7 | 申请日: | 2022-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN114582381A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 曹玲玲 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 李建忠 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 结构 存储器 | ||
1.一种集成电路结构,包括第一存储库组和第二存储库组,其特征在于,所述第一存储库组和所述第二存储库组共用一套数据读写驱动电路,所述数据读写驱动电路包括:
读控制模块,连接读数据总线、第一读写数据总线和第二读写数据总线,用于通过所述第一读写数据总线将所述第一存储库组的数据读取到所述读数据总线上,或者,通过所述第二读写数据总线将所述第二存储库组的数据读取到所述读数据总线上;
写控制模块,连接写数据总线、所述第一读写数据总线和所述第二读写数据总线,用于将所述写数据总线的数据通过所述第一读写数据总线写入所述第一存储库组,或者,将所述写数据总线的数据通过所述第二读写数据总线写入所述第二存储库组;
其中,所述读数据总线包括多条读数据线,所述写数据总线包括多条写数据线,所述多条读数据线和所述多条写数据线交错设置。
2.如权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于,所述写控制模块包括:
写控制单元,连接所述写数据总线;
第一写驱动单元,第一端连接所述写控制单元,第二端通过所述第一读写数据总线连接所述第一存储库组;
第二写驱动单元,第一端连接所述写控制单元,第二端通过所述第二读写数据总线连接所述第二存储库组。
3.如权利要求2所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一写驱动单元和所述第二写驱动单元位于第一区域,所述第一写驱动单元和所述第二写驱动单元在第一方向上并列设置,所述写控制单元与所述第一区域在第二方向上并列设置,所述第二方向与所述第一方向垂直。
4.如权利要求3所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一写驱动单元位于第一列,所述第二写驱动单元位于第二列,所述写控制单元在所述第一方向上占据所述第一列和所述第二列。
5.如权利要求3所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一写驱动单元和所述第二写驱动单元之间具有沿所述第二方向延伸的空隙,所述第一读写数据总线的一段的投影和所述第二读写数据总线的一段的投影位于所述空隙内。
6.如权利要求3所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一存储库组和所述第二存储库组位于第二区域,所述第二区域与所述第一区域、所述写控制单元在所述第二方向上顺次设置。
7.如权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于,所述读控制模块包括:
第一读控制单元,第一端通过第一读写数据总线连接所述第一存储库组;
第二读控制单元,第一端通过第二读写数据总线连接所述第二存储库组;
读驱动单元,连接所述第一读控制单元的第二端、所述第二读控制单元的第二端以及所述读数据总线。
8.如权利要求7所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一读控制单元和所述第二读控制单元位于第三区域,所述第一读控制单元和所述第二读控制单元在第一方向上并列设置,所述第三区域与所述读驱动单元在第二方向上并列设置,所述第二方向与所述第一方向垂直。
9.如权利要求7所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一读控制单元位于第一列,所述第二读控制单元位于第二列,所述读驱动单元在所述第一方向上占据所述第一列和所述第二列。
10.如权利要求8所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一存储库组和所述第二存储库组位于第二区域,所述第二区域与所述第三区域、所述读驱动单元在所述第二方向上顺次设置。
11.如权利要求5所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一读写数据总线和所述第二读写数据总线交错设置。
12.如权利要求1~11任一项所述的集成电路结构,其特征在于,所述第一存储库组和所述第二存储库组在第一方向上并列设置。
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