[发明专利]半导体元件

说明书

本申请实施例提供一种半导体元件，其包括：衬底；以及半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，其中，半导体结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；光吸收层，其被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，其布置在至少一个接触孔中，该至少一个接触孔通过穿过第二导电半导体层和光吸收层来暴露第一导电半导体层，并且第一电极连接到第一导电半导体层；以及第二电极，其被连接到第二导电半导体层。光吸收层可以具有围绕至少一个接触孔的平面形状。

本申请是国际申请日为2017年7月5日、国际申请号为PCT/KR2017/007134、进入中国国家阶段的申请号为201780041851.2，发明名称为“半导体元件”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2016年7月5日在韩国递交的韩国专利申请第10-2016-0084895号的优先权和于2017年6月5日在韩国递交的韩国专利申请第10-2017-0069659号的优先权，该申请的全部内容通过参考合并于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体元件。

背景技术

包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体元件具有许多优点，诸如宽和可调节的带隙能量，并且因此可以不同地用作发光元件、光接收元件、各种二极管等。

具体地，由于薄膜生长技术和元件材料的发展，使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光元件，诸如发光二极管或激光二极管，可以实现各种颜色，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线，并且可以通过使用荧光材料或组合颜色来实现有效的白光。与诸如荧光灯、白炽灯等的传统光源相比，这些发光元件在低功耗、半永久寿命、快速响应时间、安全性和环境友好性方面也具有优势。

此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料制造诸如光学检测器或太阳能电池的光接收元件时，可以通过元件材料的发展在各种波长范围内通过光吸收产生光电流。因此，光可以在从伽马射线到无线电波长区域的各种波长范围中使用。此外，光接收元件具有响应时间快、稳定、环境友好以及元件材料易于调节的优点，并且可以容易地用于功率控制或微波电路或通信模块。

因此，半导体元件的应用正在扩展到光通信装置的传输模块、替代形成液晶显示器(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、替代荧光灯泡或白炽灯泡的白光发射二极管灯、汽车前灯、交通信号灯以及用于检测气体或火灾的传感器。此外，半导体元件的应用还可以扩展到高频应用电路或其他功率控制设备和通信模块。

具体地，光接收元件吸收光并且产生光电流，并且因此存在改进光灵敏度的需求。

此外，已经进行对作为前述光接收元件的半导体元件的研究，以便于提高光感测灵敏度。

发明内容

技术问题

实施例还提供一种具有改进的反应灵敏度的半导体元件。

实施例中要解决的问题不限于此，并且包括下述技术方案，并且还包括可从实施例理解的目的或效果。

技术方案

根据实施例的半导体元件包括：衬底；以及半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，其中，半导体结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；光吸收层，其被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，其布置在至少一个接触孔中，该至少一个接触孔通过穿过第二导电半导体层和光吸收层来暴露第一导电半导体层，并且第一电极连接到第一导电半导体层；以及第二电极，其被连接到第二导电半导体层。光吸收层可以具有围绕至少一个接触孔的平面形状。

例如，光吸收层的第一平面面积与第一导电半导体层的整个平面面积的比率可以大于64.87％。