[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

衬底；以及

半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，

其中，所述半导体结构包括：

第一导电半导体层；

第二导电半导体层；

光吸收层，所述光吸收层被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；

第一电极，所述第一电极被布置在至少一个接触孔中，所述至少一个接触孔通过穿过所述第二导电半导体层和所述光吸收层来暴露所述第一导电半导体层，并且所述第一电极被连接到所述第一导电半导体层；以及

第二电极，所述第二电极被连接到所述第二导电半导体层，以及

其中，所述光吸收层具有围绕所述至少一个接触孔的平面形状。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述光吸收层的第一平面面积与所述第一导电半导体层的整个平面面积的比率大于64.87％。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，

其中，所述至少一个接触孔包括多个接触孔，

其中，所述多个接触孔以对称的形状和平面的方式彼此隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，

其中，所述第一电极被布置在由所述至少一个接触孔暴露的第一导电半导体层的所有表面或一部分上。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体元件作为光伏电池操作。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一电极与在所述至少一个接触孔中暴露的所述第二导电半导体层和所述光吸收层的侧部之间；

第一覆盖金属层，所述第一覆盖金属层被布置成围绕所述第一电极；以及

第二覆盖金属层，所述第二覆盖金属层被布置成围绕所述第二电极。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，还包括：

第一焊盘，所述第一焊盘通过所述第一覆盖金属层被连接到所述第一电极；以及

第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第二覆盖金属层被连接到所述第二电极。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一焊盘和所述第二覆盖金属层之间，被配置成打开所述第一焊盘和所述第二焊盘要被连接到的所述第一覆盖金属层和所述第二覆盖金属层的上部，并且被布置在所述半导体结构的所有表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，未被所述第二绝缘层覆盖的暴露的所述第一覆盖金属层具有圆形的平面形状,以平面方式具有10μm至150μm的直径。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述至少一个接触孔具有圆形、椭圆形或多边形平面形状。

11.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体结构包括：

中心区域，所述中心区域被布置在位于边缘内部的所述至少一个接触孔中的所述光吸收层的内侧中；以及

外围区域，所述光吸收层被布置在所述外围区域中，所述外围区域比所述中心区域更突出并且具有比所述中心区域更大的平面形状。