[发明专利]一种研磨载台、研磨装置、研磨方法及硅片

说明书

本发明实施例公开了一种研磨载台、研磨装置、研磨方法及硅片；所述研磨载台包括：多个承载盘，用于承载硅片；其中，任意相邻两个所述承载盘之间设置有隔断壁；设置于所述隔断壁一侧的滚筒毛刷，所述滚筒毛刷用于刷洗所述研磨载台和所述硅片；相对于所述滚筒毛刷设置于所述隔断壁另一侧的液刀，所述液刀用于防止研磨过程中的研磨废液外溢至待研磨硅片的表面。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种研磨载台、研磨装置、研磨方法及硅片。

背景技术

硅片作为半导体元件制造的材料，是目前国内市场紧缺的资源。一般情况下，多晶硅通过重熔拉晶，切片，倒角，研磨，抛光，清洗等工序后，即可获得表面光滑平坦，边缘整齐的芯片级硅片。其中，研磨工序是去除硅片切片痕迹，表面损伤层以及释放前道工序加工内应力的重要工序。因此，研磨工序在整个硅片生产流程中占据着重要地位。

硅片的研磨工艺主要是在硅片切割完成后，对其背面的厚度进行减薄以便于后续封装测试的工艺。可以理解地，在硅片的研磨加工过程中能够提高硅片表面的平坦度以便于进行后续的抛光工序。但是，现有的用于硅片的研磨装置中需要单独设置清洗机构，以在硅片研磨开始前及研磨结束后，采用清洗机构对硅片和研磨载台进行清洗，再通过水汽双流体喷嘴冲洗硅片及研磨载台表面残留的研磨废液；现有的研磨装置中包含的机构较多，安装复杂，容易出现故障进而造成宕机，影响硅片的生产效率；同时，现有的研磨装置中相邻两个承载盘之间采用条形硅胶条或简单的板形条刷进行隔断，这两种隔断方式密封性能差，在硅片的研磨过程中容易造成研磨废液外溢至待研磨的硅片处，造成硅片及承载盘的二次污染。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种研磨载台、研磨装置、研磨方法及硅片；能够节省设计空间的同时，缩短硅片的研磨加工时间，提高了硅片的研磨效率；另一方面，能够防止研磨废液发生外溢，降低硅片表面产生凹坑或者水渍的概率。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种研磨载台，所述研磨载台包括：

多个承载盘，用于承载硅片；其中，任意相邻两个所述承载盘之间设置有隔断壁；

设置于所述隔断壁一侧的滚筒毛刷，所述滚筒毛刷用于刷洗所述研磨载台和所述硅片；

相对于所述滚筒毛刷设置于所述隔断壁另一侧的液刀，所述液刀用于防止研磨过程中的研磨废液外溢至待研磨硅片的表面。

第二方面，本发明实施例提供了一种研磨装置，所述研磨装置包括：

根据第一方面所述的研磨载台；

第一驱动机构，用于在研磨过程中驱动所述研磨载台绕第一轴线X旋转；

研磨头，用于研磨硅片；

第二驱动机构，用于在研磨过程中驱动所述研磨头绕第二轴线Y旋转。

第三方面，本发明实施例提供了一种研磨方法，所述研磨方法能够应用于第二方面所述的研磨装置，所述研磨方法包括：

将多片待研磨硅片分别放置于研磨载台内对应的承载盘中并依次研磨每个所述承载盘内的硅片；

在研磨开始前，打开液刀上的多个水汽双流体喷嘴，以在所述硅片的研磨过程中冲洗所述承载盘内产生的碎屑及研磨废液；

当任一所述承载盘内的硅片研磨完成后，通过第一驱动机构驱动所述研磨载台绕第一轴线X旋转使得所述承载盘的位置发生交换以研磨下一个所述承载盘内的硅片；

在所述承载盘的交换过程中，调整滚筒毛刷的下压量以通过所述滚筒毛刷刷洗所述硅片和所述研磨载台，并通过所述水汽双流体喷嘴冲洗研磨完成的硅片及待研磨的硅片。