[发明专利]一种改善玻璃和硅片腐蚀均匀性的装置及方法在审
| 申请号: | 202210167562.X | 申请日: | 2022-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN114582788A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 李华;李居知;周旭 | 申请(专利权)人: | 苏州轩创科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/306;H01L21/67;C03C15/00 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 童杨益 |
| 地址: | 江苏省苏州市吴江区东太湖生态旅游度假区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 玻璃 硅片 腐蚀 均匀 装置 方法 | ||
本发明公开一种改善玻璃和硅片腐蚀均匀性的装置及方法,属于玻璃与硅片加工处理技术领域,包括伺服电机,伺服电机电性连接有PLC控制器,伺服电机的输出端上设有主轴,主轴上连接有第一传动机构,第一传动机构上通过连接块连接有第二传动机构,第二传动机构的侧端设有外框架,外框架上通过第一旋转轴连接有产品夹持机构,产品夹持机构的另一端通过第二旋转轴与第二传动机构连接;本发明结构简单,通过产品夹持机构对产品进行固定,避免产品在翻转的时候发生位移,同时为了使得酸液均匀分布,在药液性质无法改变的前提下,通过不断改变产品的位置,弥补药液浓度分布不均匀的缺陷,可使药液均匀分布在产品表面,从而对产品进行腐蚀处理。
技术领域
本发明属于玻璃与硅片加工处理技术领域,具体涉及一种改善玻璃和硅片腐蚀均匀性的装置及方法。
背景技术
使用酸液腐蚀硅片和玻璃,是面板业和半导体业的常规工艺。借助氢氟酸和硝酸可以腐蚀玻璃和硅片的原理,达到减薄厚度的目的。目前业界通行的作业方式有浸泡式、顶喷式以及瀑布式。浸泡式是将硅片或者玻璃完全浸泡在酸液中,达到减薄的目的,但是浸泡式中酸液通过槽体底部的鼓泡装置搅动,如果鼓泡不均匀,将导致硅片或者玻璃上分布的药液不均匀,直接影响减薄的品质和TTV;顶喷式是将硅片或者玻璃垂直放置在治具中,酸液从顶部高速喷洒下来,达到减薄的目的,但是顶喷式中酸液通过顶部喷洒的方式,产品上下喷洒量不同,由于药液不断与玻璃发生化学反应,硅片或者玻璃顶部的药液浓度>底部的药液浓度,导致上下腐蚀速率不一样,影响硅片或者玻璃TTV;瀑布式是将硅片或者玻璃垂直或斜靠在治具上,酸液从瀑布流发生器中泄下,均匀流过产品表面,达到减薄的目的,但是瀑布式中酸液从上自下流过玻璃表面,由于酸液一直在消耗,同时收到反应沉淀物的影响,产生上下厚度不均,影响TTV。因此设计一种改善玻璃和硅片腐蚀均匀性的装置及方法很有必要。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种改善玻璃和硅片腐蚀均匀性的装置及方法,用于解决传统作业方式时酸液涂抹在玻璃和硅片表面不均匀影响产品TTV的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种改善玻璃和硅片腐蚀均匀性的装置,所述装置包括伺服电机,所述伺服电机电性连接有对伺服电机进行控制的PLC控制器,所述伺服电机的输出端上设有主轴,所述主轴上连接有第一传动机构,所述第一传动机构上通过连接块连接有第二传动机构,所述第二传动机构的侧端设有外框架,所述外框架上通过第一旋转轴连接有产品夹持机构,所述产品夹持机构的另一端通过第二旋转轴与第二传动机构连接。
进一步的,所述第一传动机构包括竖向设置的齿条,所述齿条与主轴上设有的第一齿轮啮合,所述齿条的顶端与连接块固定连接。
进一步的,所述第二传动机构包括驱动电机,所述驱动电机固定设置在连接块上,所述驱动电机的输出端设有第二齿轮,所述第二齿轮上啮合有第三齿轮,所述第三齿轮与第二旋转轴连接。
进一步的,所述驱动电机为变速电动机,所述驱动电机与PLC控制器电性连接。
一种改善玻璃和硅片腐蚀均匀性的装置的使用方法,所述方法包括以下步骤:
S1、将待处理产品放入外框架上方,通过产品夹持机构进行固定;
S2、将酸液从外框架的正上方喷洒或者留下,对产品进行作业;
S3、通过PLC控制器带动伺服电机运作,可带动第一传动机构运作,从而带动产品上下方向移动;
S4、通过PLC控制器带动驱动电机运作,可带动第二传动机构运作,从而带动产品360°旋转移动。
本发明的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





