[发明专利]薄膜沉积系统及其方法在审
申请号: | 202210157927.0 | 申请日: | 2022-02-21 |
公开(公告)号: | CN114807909A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 郑有翔;吴哲玮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 系统 及其 方法 | ||
1.一种沉积薄膜的方法,其特征在于,包含:
运用一薄膜沉积系统在一晶圆上执行一薄膜沉积制程;
运用一感测器产生多个感测器信号,所述多个感测器信号指示该薄膜沉积系统的一组件的一寿命、由该薄膜沉积系统沉积的一薄膜的一特性或在该薄膜沉积制程期间流入该薄膜沉积系统中的一制程材料的一特性;及
回应于该薄膜沉积制程期间的所述多个感测器信号,调整该薄膜沉积系统的一顶板相对于该薄膜沉积系统中的该晶圆的一位置的一相对位置。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该调整包含调整该顶板与该晶圆之间的一距离。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,该调整包含移动该顶板或移动该晶圆。
4.一种薄膜沉积系统,其特征在于,包含:
一薄膜沉积腔室;
一晶圆支撑,定位于该薄膜沉积腔室中且用以支撑该薄膜沉积腔室中的一晶圆;
一顶板,定位于该晶圆支撑之上且用以在该薄膜沉积制程期间在该薄膜沉积腔室中产生一电浆;
一感测器,用以产生指示该薄膜沉积系统的一组件的一寿命、由该薄膜沉积系统沉积的一薄膜的一特性或在该薄膜沉积制程期间流入该薄膜沉积系统中的一制程材料的一特性的多个感测器信号;及
一控制系统,用以接收所述多个感测器信号并回应于所述多个感测器信号调整该薄膜沉积系统的该顶板相对于该薄膜沉积系统中的该晶圆的一位置的一相对位置。
5.根据权利要求4所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该感测器用以产生指示进入该薄膜沉积腔室的该处理材料的一流动速率的一感测器信号,在该薄膜沉积腔室中的该晶圆在该薄膜沉积系统中被处理。
6.根据权利要求4所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该感测器用以产生指示由该薄膜沉积系统处理的多个晶圆的一数目的一感测器信号。
7.根据权利要求4所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该感测器用以产生指示由该薄膜沉积系统在该晶圆上或该薄膜沉积腔室的一表面上沉积的该薄膜的一厚度的一感测器信号。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积系统,其特征在于,进一步包含一感测器,该感测器用以产生一感测器信号,该感测器信号指示该晶圆的一区域,自该区域产生指示由该薄膜沉积系统在该晶圆上沉积的该薄膜的一厚度的该感测器信号。
9.一种沉积薄膜的方法,其特征在于,包含:
在一薄膜沉积腔室中的一晶圆上执行一电浆增强化学气相沉积制程;
在该电浆增强化学气相沉积制程期间,运用定位于该晶圆之上的一顶板产生一电浆;
在该电浆增强化学气相沉积制程期间,运用一感测器产生指示该薄膜沉积系统的一组件的一寿命、由该薄膜沉积系统沉积的一薄膜的一特性或流入该薄膜沉积系统中的一制程材料的一特性的多个感测器信号;
在该电浆增强化学气相沉积制程期间,运用一控制系统分析所述多个感测器信号;及
在该电浆增强化学气相沉积制程期间,基于所述多个感测器信号,运用该控制系统调整该薄膜沉积系统的该顶板的一位置相对于该薄膜沉积系统中的该晶圆的一位置。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,进一步包含:
运用一机器学习程序训练该控制系统的一分析模型;
运用该分析模型分析所述多个感测器信号;
运用该分析模型,基于所述多个感测器信号判定待对一缝隙做出的一调整;及
运用该控制系统基于该分析模型,调整该薄膜沉积系统的该顶板相对于该薄膜沉积系统中的该晶圆的该位置。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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