[发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括高压器件区以及低压器件区；

在所述高压器件区上形成第一栅极，在所述低压器件区上形成第二栅极；

至少在所述第一栅极的裸露表面上以及所述第二栅极的裸露表面上形成介质层，位于所述第一栅极的侧壁上的所述介质层的厚度为第一厚度，位于所述第二栅极的侧壁上的所述介质层的厚度为第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，至少在所述第一栅极的裸露表面上以及所述第二栅极的裸露表面上形成介质层，包括：

在所述衬底、所述第一栅极以及所述第二栅极的裸露表面上依次叠置第一介质子层、第二介质子层以及第三介质子层；

去除部分的所述第三介质子层，保留位于所述第一栅极的侧壁上的部分所述第三介质子层；

去除部分的所述第二介质子层，保留位于所述第一栅极的侧壁上以及位于所述第二栅极的侧壁上的部分所述第二介质子层，所述第一介质子层、保留的部分所述第二介质子层以及保留的部分所述第三介质子层构成所述介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除部分的所述第三介质子层，包括：

向所述第二栅极表面上的所述第三介质子层注入预定元素，注入所述预定元素后的所述第三介质子层形成介质疏松层；

去除所述介质疏松层、位于所述衬底的表面上的所述第三介质子层以及位于所述第一栅极的远离所述衬底的表面上的所述第三介质子层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，向所述第二栅极表面上的所述第三介质子层注入预定元素，包括：

在位于所述第一栅极表面上的所述第三介质子层的裸露表面上形成牺牲层；

向未被所述牺牲层遮挡的所述第三介质子层注入所述预定元素，得到所述介质疏松层；

去除所述牺牲层。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述预定元素为惰性元素。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，包括高压器件区以及低压器件区；

第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述高压器件区上，所述第二栅极位于所述低压器件区上；

介质层，至少覆盖所述第一栅极以及所述第二栅极，位于所述第一栅极的侧壁上的所述介质层的厚度为第一厚度，位于所述第二栅极的侧壁上的所述介质层的厚度为第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层包括：

第一介质子层，位于所述第一栅极的侧壁上以及所述第二栅极的侧壁上；

第二介质子层，位于所述第一介质子层的远离所述第一栅极的侧壁的表面上，以及所述第一介质子层的远离所述第二栅极的侧壁的表面上；

第三介质子层，位于所述第二介质子层的远离所述第一栅极的侧壁的表面上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质子层的材料包括氧化硅，所述第二介质子层的材料包括氮化硅，所述第三介质子层的材料包括氧化硅。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

栅氧层，包括高压栅氧层以及低压栅氧层，所述高压栅氧层位于所述高压器件区与所述第一栅极之间，所述低压栅氧层位于所述低压器件区与所述第二栅极之间。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述高压栅氧层的厚度大于所述低压栅氧层的厚度。