[发明专利]半导体装置

说明书

本公开提供了一种装置，包括：基板；多个半导体纳米结构的第一堆叠，垂直地位于基板上方；及栅极结构，围绕所述半导体纳米结构并邻接第一堆叠的上侧以及第一横向侧及第二横向侧。第一外延区横向地邻接第一堆叠的第三横向侧；及第二外延区横向地邻接第一堆叠的第四横向侧。第一非主动鳍片横向地邻接第一外延区；及第二非主动鳍片横向地邻接第二外延区并通过栅极结构与第一非主动鳍片实体分离。

技术领域

本公开是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种具有非主动鳍片的场效晶体管及其制造方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit,IC)产业已历经了指数成长。IC材料及设计的技术性进步已产生了数个世代的ICs，其中各世代都比前一世代具有更小且更复杂的电路。在IC演进的历程中，功能密度(即单位芯片面积的互连装置数目)通常会增加，而几何尺寸(即可使用制程生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化(scaling down)的制程通常借由提高生产效率及降低相关成本来提供效益。这种微缩化也已增加了ICs加工及制造的复杂性。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置，包括：基板；多个半导体纳米结构的第一堆叠，垂直地位于基板上方；栅极结构，围绕所述半导体纳米结构并邻接第一堆叠的上侧以及第一横向侧及第二横向侧；第一外延区，横向地邻接第一堆叠的第三横向侧；第二外延区，横向地邻接第一堆叠的第四横向侧；第一非主动鳍片，横向地邻接第一外延区；及第二非主动鳍片，横向地邻接第二外延区并通过栅极结构与第一非主动鳍片实体分离。

本发明实施例提供一种半导体装置，包括：基板；第一半导体通道，垂直地位于基板上方；第二半导体通道，垂直地位于基板上方并且以第一方向从第一半导体通道横向地偏移；第一栅极结构，横向地位于第一半导体通道及第二半导体通道之间；第二栅极结构，横向地位于第一半导体通道及第二半导体通道之间；栅极隔离部件，位于第一半导体通道及第二半导体通道之间，在第一方向上从第一栅极结构的第一侧壁延伸至第二栅极结构的第二侧壁；第一外延区，在与第一方向垂直的第二方向上横向地邻接第一半导体通道；第二外延区，在第二方向上横向地邻接第二半导体通道；及非主动鳍片结构，在第一方向上位于第一外延区及第二外延区之间，并且在第二方向上横向地邻接栅极隔离部件。

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：垂直地形成第一鳍片堆叠及第二鳍片堆叠于基板上方，第一鳍片堆叠及第二鳍片堆叠在第一横向方向上延伸并在垂直于第一横向方向的第二横向方向上分开；形成在第二横向方向延伸的牺牲栅极结构在第一鳍片堆叠及第二鳍片堆叠上方；形成第一非主动鳍片结构，邻接第一鳍片堆叠、第二鳍片堆叠、以及牺牲栅极结构的第一侧；形成第二非主动鳍片结构，邻接第一鳍片堆叠、第二鳍片堆叠、以及牺牲栅极结构与第一侧相反的第二侧；形成第一外延部件，邻接第一非主动鳍片结构及第一鳍片堆叠；及形成第二外延部件，邻接第一非主动鳍片结构及第二鳍片堆叠。

附图说明

本公开的面向从以下详细描述中配合附图可最好地被理解。应强调的是，依据业界的标准做法，各种部件并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了清楚讨论，各种部件的尺寸可任意放大或缩小。

图1A至图1E是根据本公开的实施例，是制造IC装置的一部分的示意性俯视图及剖面侧视图。

图2、图3、图4、图5、图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图7、图8、图9、图10、图11、图12是根据本公开的各面向，是各制造阶段的IC装置的各个实施例的视图。

图13是根据本公开的各面向，是制造半导体装置的方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

10：IC装置

20A：GAA装置

20B：GAA装置

20C：GAA装置