[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202210109471.0 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN114497161A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 颜海龙;张锴;宋二龙;吴董杰;蔡兴瑞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 张翠蓬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:
衬底基板;
设置在所述衬底基板一侧的像素限定层,所述像素限定层包括开口区域以及环绕所述开口区域设置的非开口区域;
设置在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧的有机材料层;
其中,所述非开口区域内的像素限定层包括隔断结构,所述隔断结构用于减薄或隔断对应位置的有机材料层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述隔断结构为隔断槽,且所述隔断槽的槽口朝向所述开口区域。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述非开口区域内的像素限定层包括层叠设置的第一材料层和第二材料层,所述第一材料层靠近所述衬底基板设置,所述第一材料层具有朝向所述开口区域的第一端面,所述第二材料层具有朝向所述开口区域的第二端面,所述第一端面相对于所述第二端面朝远离所述开口区域的方向缩进第一预设距离;
其中,所述第一端面构成所述隔断槽的槽底。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述非开口区域内的像素限定层还包括设置在所述第一材料层靠近所述衬底基板一侧的第三材料层,所述第三材料层具有朝向所述开口区域的第三端面;
其中,所述第一端面还相对于所述第三端面朝远离所述开口区域的方向缩进。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第二端面相对于所述第三端面平齐,或者所述第二端面相对于所述第三端面朝向远离所述开口区域的方向缩进第二预设距离。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述第二预设距离大于或等于30纳米,且小于或等于200纳米。
7.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第二端面的坡度角大于或等于20°,且小于或等于70°;和/或,
所述第三端面的坡度角大于或等于20°,且小于或等于70°。
8.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第一材料层的材料、所述第二材料层的材料以及所述第三材料层的材料均为无机材料。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述无机材料包括以下至少之一:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、钛以及铝。
10.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第一材料层的厚度大于或等于20纳米,且小于或等于50纳米;和/或,
所述第二材料层的厚度大于或等于20纳米,且小于或等于50纳米;和/或,
所述第三材料层的厚度大于或等于5纳米,且小于或等于40纳米。
11.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述非开口区域内的像素限定层还包括设置在所述第二材料层背离所述衬底基板一侧的第四材料层;
所述第四材料层在所述衬底基板上的正投影与所述隔断槽在所述衬底基板上的正投影无交叠。
12.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第一预设距离大于或等于100纳米,且小于或等于1000纳米。
13.根据权利要求1至12任一项所述的显示基板,其中,所述隔断结构为环绕所述开口区域的闭合结构。
14.根据权利要求1至12所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:
设置在所述衬底基板与所述像素限定层之间的第一电极层,所述第一电极层包括第一电极,所述第一电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述开口区域在所述衬底基板上的正投影;以及,
设置在所述有机材料层背离所述衬底基板一侧的第二电极层,所述第二电极层在所述隔断结构所在位置处连续。
15.一种显示装置,其中,包括权利要求1至14任一项所述的显示基板。
16.一种显示基板的制备方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成像素限定层,所述像素限定层包括开口区域以及环绕所述开口区域设置的非开口区域;
在所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧形成有机材料层;
其中,所述非开口区域内的像素限定层包括隔断结构,所述隔断结构用于减薄或隔断对应位置的有机材料层。
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