[发明专利]三维存储器、三维存储器的制备方法以及三维存储器系统

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，包括：

在衬底上交替堆叠电介质层和牺牲层形成堆叠结构；

去除所述牺牲层的至少一部分形成间隙，并在所述间隙内填充栅极层；

在所述堆叠结构的远离所述衬底的一侧形成预设孔，其中，所述预设孔的至少一部分与所述栅极层接触；

在所述预设孔内形成与所述栅极层连接的第一导电层，并在所述预设孔的剩余空间内形成填充层；以及

在所述填充层的远离所述衬底的一侧形成与所述第一导电层相连的第四导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极层包括多层，所述栅极层中的每一层均与所述电介质层交替堆叠，以及

所述预设孔至多与所述栅极层中的一层接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述栅极层后，所述电介质层和所述栅极层交替堆叠形成第一叠层结构，

所述电介质层和所述牺牲层未被去除的部分交替堆叠形成第二叠层结构，以及

所述第一叠层结构和所述第二叠层结构沿第一方向排布，其中，所述第一方向包括与所述电介质层和所述栅极层堆叠方向垂直的方向。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述预设孔的方法包括：

在所述第二叠层结构的远离所述衬底的一侧形成预设孔第一部分；以及

在所述预设孔第一部分的靠近所述衬底的一侧形成预设孔第二部分，其中，所述预设孔第二部分与所述栅极层相接。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在形成所述预设孔第二部分之前，还包括：

在所述预设孔第一部分的侧壁形成隔离层。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第四导电层的步骤包括：

在所述填充层的远离所述衬底的一侧形成与所述第一导电层连接的第三导电层；以及

去除所述第三导电层的不与所述填充层接触的部分，形成所述第四导电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述预设孔内形成与所述栅极层连接的第一导电层的步骤还包括：

在所述第一叠层结构和所述第二叠层结构的远离所述衬底的一侧形成第二导电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第三导电层的靠近所述衬底的一侧到所述衬底的距离小于所述第二导电层的靠近所述衬底的一侧到所述衬底的距离，其中，所述方法还包括：

去除所述第二导电层以暴露所述第一叠层结构和所述第二叠层结构的第一侧，

其中，所述第四导电层的远离所述衬底的一侧与所述第一侧共平面。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述第四导电层的远离所述衬底的一侧形成与所述第四导电层连接的导电部。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述填充层的内部形成空隙。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述填充层的材料包括绝缘材料。

12.一种三维存储器，包括：

半导体层；

叠层结构，位于所述半导体层上，包括栅极层；以及

导电结构，位于所述叠层结构的远离所述半导体层的一侧，包括第一导电层、填充层以及第四导电层，

其中，所述第一导电层分别与所述栅极层和所述第四导电层连接，所述第一导电层和所述第四导电层包覆所述填充层，并且所述第四导电层位于所述填充层的远离所述半导体层的一侧。

13.根据权利要求12所述的三维存储器，其中，所述栅极层包括多层，所述叠层结构还包括与所述栅极层中的每一层交替堆叠的电介质层，以及

所述第一导电层至多与所述栅极层中的一层接触。