[发明专利]功率芯片及多功率芯片的联接结构

说明书

本发明提供一种功率芯片及多功率芯片的联接结构，涉及功率芯片技术领域。本发明的一种功率芯片及多功率芯片的联接结构，包括漏极pad、源极pad和栅极pad；所述漏极pad为键合件围成的第一三角形电极；所述源极pad为键合件围成的第二三角形电极，其中第一三角形电极和第二三角形电极有一条公共边；所述栅极pad设置在第二三角形电极中，且设置在公共边的对角内。采用三角形的电极，可以尽可能的减短源极和漏极的键合件的长度，起到减小电感的作用，且将栅极pad设置在公共边的对角上，方便后续多个芯片的联接时将栅极pad集中。在多功率芯片的联接结构中，采用三角形的pad，方便将栅极集中在一起，有效减短键合件的长度，进一步起到减小电感的作用。

技术领域

本发明涉及功率芯片技术领域，具体涉及一种功率芯片及多功率芯片的联接结构。

背景技术

功率芯片是利用半导体材料和半导体制造工艺制造的具备输出较大功率能力的单一芯片，广泛应用于放大器、开关电源或驱动电路中。随着消费电子产品的轻型化和小型化，功率模块整体尺寸不断缩小，功率模块上为了让芯片保持适当的散热距离，尽可能的减短键合件的长度显得较为重要。一般键合件之间距离较近，可以有效的降低键合件的电感，提高功率芯片的相应度。

目前，为了方便键合，绝大多数功率芯片的pad使用矩形或带圆角的矩形作为pad，如图1所示。然而，对于电感比较敏感的场景，采用矩形或带圆角的矩形作为功率芯片的pad，其键合件较长，键合件的寄生电感，影响功率芯片的响应度。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种功率芯片及多功率芯片的联接结构，解决了功率芯片的电极布局结构，导致键合件间电感较大技术问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

第一方面，本发明提供一种功率芯片，包括漏极pad、源极pad和栅极pad；

所述漏极pad为键合件围成的第一三角形电极；

所述源极pad为键合件围成的第二三角形电极，其中第一三角形电极和第二三角形电极有一条公共边；

所述栅极pad设置在第二三角形电极中，且设置在公共边的对角内。

优选的，还包括供电电压pad，所述供电电压pad设置在栅极pad和公共边的区域之间。

优选的，所述第一三角形电极和第二三角形电极为直角三角形，所述公共边为直角三角形的斜边。

第二方面，本发明实施例提供一种多功率芯片的联接结构，包括多个上述所述的功率芯片，

多个功率芯片的漏极pad互相连接形成主漏极电极，多个功率芯片的源极pad互相连接形成主源极电极，多个功率芯片的栅极pad互相连接形成主栅极电极；

多个功率芯片对称设置。

优选的，包括2个功率芯片，2个功率芯片正面键合且对称。

优选的，包括4个功率芯片，4个功率芯片正面键合且对称。

优选的，所述4个功率芯片的栅极pad集中设置在对称轴两侧。

优选的，包括8个功率芯片，所述8个功率芯片分为第一功率芯片组和第二功率芯片组；

所述第一功率芯片组和第二功率芯片组均4个功率芯片，4个功率芯片正面键合且对称；

所述第一功率芯片组和第二功率芯片组布局设置相同，

所述第一功率芯片组和第二功率芯片组面对面键合。

(三)有益效果