[发明专利]用于薄膜沉积的炉管、薄膜沉积方法及加工设备在审
申请号: | 202210081260.0 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN116516316A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 王晖;张山;周冬成;沈辉;吕策;朴载成;金宗焕;张大海;张晓燕;王俊;贾社娜;王坚 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛帷半导体设备(上海)有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄膜 沉积 炉管 方法 加工 设备 | ||
1.一种用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,包括:
工艺管;
晶舟,设置于工艺管内部,晶舟沿工艺管的长度方向上设置有多层支撑件以用于支撑多层基板;
供气管,设置于工艺管内部,供气管沿工艺管的长度方向上设置有多层供气孔,每层供气孔与每层基板一一对应以向每层基板上供应工艺气体;
工艺管的侧壁沿工艺管侧壁的长度方向上设置有多层排气孔,每层排气孔与每层基板一一对应;
供气管上的供气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小,工艺管侧壁上的排气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小,使得每层供气孔的供气量相同,每层排气孔的排气量相同。
2.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层排气孔为一个狭长孔,每层排气孔与每层供气孔相对设置,每层狭长孔的高度相同,每层狭长孔的长度沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小。
3.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层排气孔为多个小孔,每层排气孔与每层供气孔相对设置。
4.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层排气孔为多个狭长孔,每层的多个狭长孔位于工艺管侧壁的一圈上。
5.如权利要求3或4所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层排气孔的尺寸相同,每层排气孔的数量沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减少。
6.如权利要求3或4所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层排气孔的数量相同,每层排气孔的尺寸沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小。
7.如权利要求4所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,位于工艺管侧壁的一圈上的多个狭长孔的长度沿靠近供气孔至远离供气孔的方向上逐渐增大。
8.如权利要求7所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,每层狭长孔的尺寸沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小。
9.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,包括多组所述供气管,多组供气管沿工艺管的周向均匀分布。
10.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层供气孔为多个小孔,每层供气孔的尺寸相同,每层供气孔的数量沿供气管的长度方向由上至下逐渐减少。
11.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层供气孔为多个小孔,每层供气孔的数量相同,每层供气孔的尺寸沿供气管的长度方向由上至下逐渐减小。
12.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述每层供气孔为一个狭长孔,每层供气孔的长度沿供气管的长度方向由上至下逐渐减小。
13.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述工艺管内部设置有至少一个第一抽气口。
14.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述工艺管外侧设置有至少一个第二抽气口。
15.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述工艺管的内侧或外侧设有至少一对射频电极,所述至少一对射频电极的外侧套有绝缘套管。
16.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,进一步包括:
衬管,套设于所述工艺管外侧;
加热组件,套设于所述衬管外侧,用于对所述衬管加热。
17.如权利要求16所述的用于薄膜沉积的炉管,其特征在于,所述衬管的外侧设置有至少一对射频电极。
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