[发明专利]半导体存储装置及其操作方法以及包括其的存储系统在审

专利信息
申请号: 202210080706.8 申请日: 2022-01-24
公开(公告)号: CN115579045A 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 李光训;金起业;金生焕 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;李少丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 操作方法 以及 包括 存储系统
【说明书】:

本公开涉及半导体存储装置及其操作方法以及包括其的存储系统。半导体存储装置可以包括:存储单元阵列;错误检查和纠正电路,被配置成:从响应于读取命令而从存储单元阵列读取的数据中检测错误,纠正所检测的错误,以及每当错误被纠正时输出错误纠正信号;以及错误标志生成器,被配置成:当在监测时段期间生成错误纠正信号的次数达到阈值时进入标志输出模式,以及在标志输出模式中输出错误纠正信号作为错误标志。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年6月21日提交至韩国知识产权局的申请号为10-2021-0080130的韩国申请的优先权,其整体通过引用并入本文。

技术领域

各个实施方式总体涉及半导体集成装置,更具体地涉及半导体存储装置和该半导体存储装置的操作方法以及包括该半导体存储装置的存储系统。

背景技术

存储在半导体存储装置中的数据的逻辑电平可以通过诸如电或磁干扰的各种因素而被反转。

为了检测和纠正这样的数据损坏,开发了ECC(错误检查和纠正)功能。

ECC电路被配置成:当从存储装置读取数据时,检测是否发生错误以及错误的位置,并输出通过将发生错误的位置处的数据的值恢复为正确值而纠正的读取数据。

当存储在存储装置中的数据被损坏或丢失时,其降低存储装置的可靠性。因此,需要一种能够通过有效地管理错误信息来防止发生致命错误的方法。

发明内容

在实施方式中,半导体存储装置可以包括:存储单元阵列;ECC(错误检查和纠正)电路,被配置成:从响应于读取命令而从存储单元阵列读取的数据中检测错误,纠正所检测的错误,以及每当错误被纠正时输出错误纠正信号;以及EF(错误标志)生成器,被配置成:当在监测时段期间错误纠正信号生成的次数达到阈值时进入标志输出模式,以及在标志输出模式中输出错误纠正信号作为错误标志。

在实施方式中,半导体存储装置可以包括:存储单元阵列;ECC电路,被配置成:从响应于读取命令而从存储单元阵列读取的数据中检测错误,纠正所检测的错误,以及每当错误被纠正时输出错误纠正信号;以及EF生成器,被配置成:在监测时段期间错误纠正信号生成的次数达到阈值之后,在监测时段的至少一部分时段期间输出错误纠正信号作为错误标志。

在实施方式中,半导体存储装置的操作方法可以包括以下步骤:从响应于读取命令而从存储单元阵列读取的数据中检测错误;每当错误被纠正时输出错误纠正信号;当在监测时段期间错误纠正信号生成的次数达到阈值时进入标志输出模式;以及在标志输出模式中输出错误纠正信号作为错误标志。

在实施方式中,存储系统可以包括:半导体存储装置;以及存储器控制器,被配置为控制半导体存储装置。半导体存储装置可以包括:存储单元阵列;ECC电路,被配置成:从响应于读取命令而从存储单元阵列读取的数据中检测错误,纠正所检测的错误,以及每当错误被纠正时输出错误纠正信号;以及EF生成器,被配置成:当在监测时段期间错误纠正信号生成的次数达到阈值时进入标志输出模式,以及在标志输出模式中生成错误纠正信号并将错误纠正信号作为错误标志输出到存储器控制器。

附图说明

图1是示出根据实施方式的存储系统的配置图。

图2是示出根据实施方式的半导体存储装置的配置图。

图3是示出根据实施方式的ECC电路的配置图。

图4是示出根据实施方式的EF(错误标志)生成器的配置图。

图5是示出根据实施方式的EF生成器的配置图。

图6是用于描述根据实施方式的EF生成器的操作构思的时序图。

图7、图8和图9示出根据实施方式的堆叠型半导体装置。

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