[发明专利]半导体存储装置及其操作方法以及包括其的存储系统在审
申请号: | 202210080706.8 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN115579045A | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 李光训;金起业;金生焕 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 操作方法 以及 包括 存储系统 | ||
1.半导体存储装置,包括:
存储单元阵列;
错误检查和纠正电路,其:从响应于读取命令而从所述存储单元阵列读取的数据中检测错误,纠正所检测的错误,以及每当错误被纠正时输出错误纠正信号;以及
错误标志生成器,其:当在监测时段期间所述错误纠正信号生成的次数达到阈值时进入标志输出模式,以及在所述标志输出模式中输出所述错误纠正信号作为错误标志。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,在第一监测时段中初始地进入所述标志输出模式,以及在初始地进入之后连续地保持在所述标志输出模式中,至少直到所述第一监测时段结束为止。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,在第一监测时段中被使能的所述标志输出模式在所述第一监测时段和跟踪监测时段期间被保持。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中,所述跟踪监测时段被设置为所述第一监测时段之后的第二监测时段。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述监测时段被设置为输入预设数量的读取命令的时段。
6.半导体存储装置,包括:
存储单元阵列;
错误检查和纠正电路,其:从响应于读取命令而从所述存储单元阵列读取的数据中检测错误,纠正所检测的错误,以及每当错误被纠正时输出错误纠正信号;以及
错误标志生成器,其:在监测时段期间所述错误纠正信号生成的次数达到阈值之后,在所述监测时段的至少一部分时段期间输出所述错误纠正信号作为错误标志。
7.半导体存储装置的操作方法,包括以下步骤:
从响应于读取命令而从存储单元阵列读取的数据中检测错误;
每当错误被纠正时输出错误纠正信号;
当在监测时段期间所述错误纠正信号生成的次数达到阈值时,进入标志输出模式;以及
在所述标志输出模式中输出所述错误纠正信号作为错误标志。
8.根据权利要求7所述的操作方法,其中,在第一监测时段中初始地进入所述标志输出模式,以及在初始地进入之后连续地保持在所述标志输出模式中,至少直到所述第一监测时段结束为止。
9.根据权利要求7所述的操作方法,其中,在第一监测时段中被使能的所述标志输出模式在所述第一监测时段和跟踪监测时段期间被保持。
10.根据权利要求9所述的操作方法,其中,所述跟踪监测时段被设置为所述第一监测时段之后的第二监测时段。
11.根据权利要求7所述的操作方法,其中,所述监测时段被设置为输入预设数量的读取命令的时段。
12.存储系统,包括:
半导体存储装置;以及
存储器控制器,其控制所述半导体存储装置,
其中,所述半导体存储装置包括:
存储单元阵列;
错误检查和纠正电路,其:从响应于读取命令而从所述存储单元阵列读取的数据中检测错误,纠正所检测的错误,以及每当错误被纠正时输出错误纠正信号;以及
错误标志生成器,其:当在监测时段期间所述错误纠正信号生成的次数达到阈值时进入标志输出模式,以及在所述标志输出模式中生成所述错误纠正信号并将所述错误纠正信号作为错误标志输出到所述存储器控制器。
13.根据权利要求12所述的存储系统,其中,在第一监测时段中初始地进入所述标志输出模式,以及在初始地进入之后连续地保持在所述标志输出模式中,至少直到所述第一监测时段结束为止。
14.根据权利要求12所述的存储系统,其中,在第一监测时段中被使能的所述标志输出模式在所述第一监测时段和所述第一监测时段之后的第二监测时段期间被保持。
15.根据权利要求12所述的存储系统,其中,所述监测时段被设置为输入预设数量的读取命令的时段。
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