[发明专利]具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器

权利要求书

1.具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，包括自上而下依次设置的纳米线层、二氧化硅腔、分布式布拉格反射镜以及衬底。

2.根据权利要求1所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述分布式布拉格反射镜由高折射率薄膜和低折射率薄膜交替构成，高折射率薄膜采用氧化钇稳定氧化锆，折射率为5；低折射率薄膜采用二氧化硅，折射率为1.444；所述分布式布拉格反射镜的周期数为4。

3.根据权利要求2所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述衬底采用BK7玻璃衬底，厚度为400μm，折射率为1.5055。

4.根据权利要求3所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述纳米线层采用单层氮化铌纳米线结构，所述氮化铌纳米线厚度为4nm，线宽为30nm，占空比为1/3。

5.根据权利要求4所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述二氧化硅腔厚度为650nm。

6.根据权利要求4所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述氧化钇稳定氧化锆高折射率薄膜厚度为187nm，所述二氧化硅低折射率薄膜厚度为663nm。

7.根据权利要求3所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述纳米线层采用双层氮化铌纳米线结构，包括自上而下依次设置的氮化铌纳米线、二氧化硅隔离层和氮化铌纳米线，所述氮化铌纳米线厚度为4nm，线宽为30nm，占空比为1/3；所述二氧化硅隔离层厚度为3nm。

8.根据权利要求7所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述二氧化硅腔厚度为658nm。

9.根据权利要求7所述的具有中红外高光吸收特性的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述氧化钇稳定氧化锆高折射率薄膜厚度为187nm，二氧化硅低折射率薄膜厚度为636nm。