[发明专利]一种钙钛矿墨水以及其应用在审
申请号: | 202210076369.5 | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114464692A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 李望南;宋克萌;程家豪;山承才;周鹏;刘鎏;李俊彬;卢少娟;陈美华;梁桂杰;汪竞阳;钟志成;黄福志 | 申请(专利权)人: | 湖北文理学院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 熊海武 |
地址: | 441053 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 墨水 及其 应用 | ||
本发明公开一种钙钛矿墨水以及其应用,涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。其中,所述钙钛矿墨水包括以下组分:二甲胺氢碘酸盐、碘化铅、碘化铯和混合溶剂,其中,所述混合溶剂包括二甲基甲酰胺和二甲基亚砜,所述二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为6.8~7.2:2.8~3.2。本发明通过对原料的选择、混合溶剂比例的设计,使得到的钙钛矿墨水能在160℃制得CsPbI3薄膜,实现了CsPbI3成膜的低温退火,且得到的CsPbI3薄膜的形貌好、晶界稳定性高、缺陷密度低,从而使CsPbI3薄膜的温度和湿度稳定性优异;此外,低温退火的实现,使CsPbI3薄膜的制备更易操作,成本低廉,有利于大规模生产。
技术领域
本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域,特别涉及一种钙钛矿墨水以及其应用。
背景技术
能源短缺与环境污染是当今人类世界面临的两大难题,取之不尽用之不竭的太阳能是一种较为理想的可再生能源。钙钛矿太阳能电池(PSCs)等第三代太阳能电池技术具有低成本、高效率、易组装及柔性等优势。自2009年钙钛矿材料应用于太阳能电池以来,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率迅速上升到25%以上,但由于有机组分的存在使得钙钛矿存在热不稳定的情况,使用无机材料来替代有机材料便成为了提高钙钛矿稳定性的一种有效的方法。
目前,主要采用Cs取代或部分取代钙钛矿中的有机组分,其中,全无机铯铅卤钙钛矿(CsPbX3,X=I,Br)薄膜具有较高的吸收系数,优异的热稳定性和电荷迁移率受到诸多关注。黑色相的CsPbI3钙钛矿作为全无机钙钛矿具有优异的热稳定性,同时,其带隙约为1.7eV,被认为是高效太阳能电池(PSCs)的候选材料之一,在光伏领域具有潜在的应用价值。
制备全无机钙钛矿薄膜的工艺大致分为蒸发法和溶液法(一步旋涂法、两步旋涂法、两步浸渍法、喷涂/刮涂),其中,一步旋涂法是先制备钙钛矿墨水(也称钙钛矿前驱体溶液),经过旋涂和加热退火制得,该方法操作简单,但现有的钙钛矿墨水旋涂后,需要在200~220℃的高温下退火促进钙钛矿形核,从而制得钙钛矿薄膜,而高温退火会导致钙钛矿薄膜的缺陷密度高、晶界稳定性低,从而限制了其应用。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种钙钛矿墨水以及其应用,旨在解决现有的钙钛矿薄膜的缺陷密度高和晶界稳定性低的问题。
为实现上述目的,本发明提出一种钙钛矿墨水,所述钙钛矿墨水包括以下组分:
二甲胺氢碘酸盐、碘化铅、碘化铯和混合溶剂,
其中,所述混合溶剂包括二甲基甲酰胺和二甲基亚砜,所述二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为6.8~7.2:2.8~3.2。
可选地,所述钙钛矿墨水中,每1mL所述混合溶剂中加入75~77mg所述二甲胺氢碘酸盐、229~233mg碘化铅和128~131mg碘化铯。
基于上述目的,本发明还提出一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
S10、在基底上设置电子传输层;
S20、在所述电子传输层上旋涂如上所述的钙钛矿墨水,然后在160~180℃退火25~35min,得到钙钛矿薄膜;
S30、在所述钙钛矿薄膜上设置空穴传输层;
S40、在所述空穴传输层上设置金属电极层,得到全无机钙钛矿太阳能电池。
可选地,步骤S10包括:
将钛酸正丁酯溶液旋涂在基底表面,在120~130℃退火4~6min,然后在常温下退火25~35min,得到设置在基底上的电子传输层。
可选地,所述钛酸正丁酯溶液的浓度为0.14~0.16mol/L;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北文理学院,未经湖北文理学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210076369.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种发际线上脸部拉提紧肤塑形的美容注射方法
- 下一篇:一种高效储氢瓶
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的