[发明专利]RF MEMS器件及其制备方法

说明书

本发明提供RF MEMS器件及其制备方法，所述RF MEMS器件包括：衬底，衬底的一侧设有集成电路；第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘设在集成电路上；第一金属块和第二金属块，第一金属块设在第一焊盘上，第二金属块设在第二焊盘上；绝缘层，绝缘层包覆第一焊盘、第二焊盘、第一金属块和第二金属块，并且第一金属块和第二金属块远离衬底一侧的表面未被绝缘层包覆；第一布线结构和第二布线结构，第一布线结构与第一金属块连接，第二布线结构与第二金属块连接；MEMS器件，第一布线结构和第二布线结构中的至少一个与MEMS器件连接。由此，可以实现集成电路与MEMS器件的互联，可以有效的减小互联带来的损耗。

技术领域

本发明属于微电子技术领域，具体涉及RF MEMS器件及其制备方法。

背景技术

MEMS器件以其低插入损耗、高隔离度、高线性度等性能，被视为5G、雷达、卫星通信等未来射频无线系统的备选器件。但MEMS器件与其他集成电路(如驱动电路、微波集成电路)之间的互联互通是影响其射频性能的一个重要因素。目前，为实现MEMS器件与其他集成电路之间的互联，主要采用PCB板级互联以及SiP(System-in-Package)等形式。PCB板级互联由于尺寸偏大，会引入额外的寄生损耗；SiP可以在一定程度上减小互联带来的损耗，但当中的焊接、打线等工艺步骤以及各芯片间近距离的互扰仍会对MEMS器件的性能产生影响。特别是在毫米波频段，由互联带来的寄生现象会更加严重，甚至影响射频系统的性能。

因此，有必要对现有的RF MEMS器件进行改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上改善或解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种可以实现MEMS器件与其他集成电路之间的互联、并且可以减少寄生损耗的RF MEMS器件。

为改善上述技术问题，本发明提供一种RF MEMS器件，包括：

衬底，所述衬底的一侧设有集成电路；

第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘间隔设置，所述第一焊盘和所述第二焊盘设在所述集成电路远离所述衬底一侧的表面；

第一金属块和第二金属块，所述第一金属块设在所述第一焊盘上，所述第二金属块设在所述第二焊盘上；

绝缘层，所述绝缘层设在所述集成电路远离所述衬底一侧的表面，并且包覆所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一金属块和所述第二金属块，并且所述第一金属块和所述第二金属块远离所述衬底一侧的表面未被所述绝缘层包覆；

第一布线结构和第二布线结构，所述第一布线结构和所述第二布线结构均设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第一布线结构与所述第一金属块电连接，所述第二布线结构与所述第二金属块电连接；

MEMS器件，所述第一布线结构和所述第二布线结构中的至少一个与所述MEMS器件电连接。

由此，通过垂直设置的第一金属块和/或第二金属块，可以实现集成电路与MEMS器件的互联，可以有效的减小互联带来的损耗，本发明的设计还有利于减小器件的整体尺寸，提升了器件的市场竞争力。

另外，本发明的RF MEMS器件还可以具有如下附加的技术特征：

所述MEMS器件包括MEMS开关、滤波器、电容和电感中的至少之一。

所述第一金属块、所述第二金属块的高度彼此独立地为20-200微米。

所述绝缘层的厚度为20-200微米。

所述第一金属块在所述衬底上的正投影面积小于所述第一焊盘在所述衬底上的正投影面积；所述第二金属块在所述衬底上的正投影面积小于所述第二焊盘在所述衬底上的正投影面积。